一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺，在碳化硅键合前对碳化硅晶圆基片进行多步骤边缘修边工艺，然后进行晶圆的键合工艺、晶圆的多次减薄抛光及退火工艺、晶圆的背面工艺、晶圆的解键合工艺、晶圆的高温退火工艺，最后进行晶圆的键合工艺和晶圆二次修边工艺。通过采用上述的工艺流程，不仅大大降低SiC晶圆在减薄时的碎片和烧片风险，还可安全有效的完成碳化硅晶圆基片的背面工艺和高温回火工艺。工艺。工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体涉及一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的快速发展，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)材料凭借其宽禁带、高电子迁移率以及高热导性已经成为新一代热门的半导体材料。而由于电子器件的更新迭代，市场上对半导体器件的导通压降提出了更高的要求，因此要求在正面制程完成后需对碳化硅晶圆进行减薄工艺以减小器件的漂移层厚度从而减小器件的导通压降。此外，随着器件结构设计的进一步复杂化，这也对碳化硅制程的背面加工工艺提出了更多需求。
[0003]在相关技术中，常采用磨削工艺将翻转的碳化硅晶圆进行减薄。然而碳化硅材料由于其莫氏硬度较高，会在晶圆减薄过程中出现磨削量大和晶圆碎片率高现象，大大减小工艺良率并增加工艺制造中的成本。此外，在晶圆后续背面制程工艺中也会对晶圆的正面带来污染风险。因此对碳化硅晶圆键合工艺和背面减薄工艺进行优化就显得尤为重要。而目前的相关的碳化硅键合工艺，仍旧存在碎片率较高的风险，而现行的硅基键合减薄工艺仅仅适用于硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、将第一SiC载片（3）和已完成正面制程的SiC晶圆（2）采用热氧化方式进行SiO2层（1）生长；S2、对SiC晶圆（2）进行修边工艺；S3、将第一SiC载片（3）和SiC晶圆（2）进行键合工艺；S4、对键合后的第一SiC载片（3）和SiC晶圆（2）进行退火工艺，形成永久键合；S5、对第一SiC载片（3）和SiC晶圆（2）进行二次减薄、修边和背面制程工艺；S6、将第一SiC载片（3）和SiC晶圆（2）放置于石墨托盘（4）上并放置于刻蚀槽中，将键合的SiO2层（1）进行刻蚀，解除SiC载片（3）和晶圆（2）的永久键合；S7、对SiC晶圆（2）表面进行碳层（5）覆盖，然后将承载SiC晶圆（2）的石墨托盘（4）放入高温退火设备进行高温制程；S8、将完成退火后的SiC基板取出，去除表面的碳层（5），并与涂覆有临时键合胶（6）的第二SiC载片（7）键合；S9、对键合后的SiC晶圆（2）和第二SiC载片（7）进行修边工艺；S10、完成后续SiC晶圆（2）背部钝化层工艺的生长。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆背面制程加工工艺，其特征在于，步骤S1中热氧化SiO2层（1）生长厚度为100
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150nm。3.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆背面制程加工工艺，其特征在于，步骤S2中晶圆（2）修边深度范围在100
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200um之间；步骤S2中晶圆修边宽度为3mm。4.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆背面制程加工工艺，其特征在于，步骤S2中晶圆修边可采用多次修边方式进行，具体步骤为：步骤S201，对SiC晶圆进行第一次修边，修边宽度为2mm，深度为100um；步骤S202，对SiC晶圆进行第二次修边，修边宽度为3mm，深度为需减薄的剩余厚度。5.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆背面制程...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐义洲，
申请(专利权)人：成都功成半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：