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本发明公开了一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺，在碳化硅键合前对碳化硅晶圆基片进行多步骤边缘修边工艺，然后进行晶圆的键合工艺、晶圆的多次减薄抛光及退火工艺、晶圆的背面工艺、晶圆的解键合工艺、晶圆的高温退火工艺，最后进行晶圆的键合工艺和晶圆二次修...
该专利属于成都功成半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都功成半导体有限公司授权不得商用。

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