基于临时键合的晶圆背面加工方法及晶圆技术

本发明专利技术公开了基于临时键合的晶圆背面加工方法及晶圆，属于半导体加工技术领域，包括以下步骤：在载片上涂覆键合胶并进行洗边处理；对晶圆进行台阶式修边处理，得到具有台阶倒角的晶圆；将载片与晶圆进行键合；对晶圆进行多次减薄处理，直至达到要求厚度；完成第一次晶圆背面工艺。通过洗边处理能够去除边缘键合胶，降低键合胶溢出风险；对晶圆进行台阶式修边处理，一方面能够防止台阶式倒角挤压键合胶导致键合胶溢出，从而对后续减薄设备的污染，另一方面能够避免洗边工艺导致晶圆与载片中间部分无法紧密键合导致的晶圆边缘碎裂的风险；对载片进行键合胶涂覆，使修边后晶圆无需进一步涂覆键合胶即可实现载片与晶圆的键合，利于提高工艺效率。利于提高工艺效率。利于提高工艺效率。

【技术实现步骤摘要】
基于临时键合的晶圆背面加工方法及晶圆


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及基于临时键合的晶圆背面加工方法及晶圆。

技术介绍

[0002]晶圆是碳化硅半导体集成电路制作所用的碳化硅晶片，由于其形状一般设置为圆形，故称为晶圆。在碳化硅晶片上可以加工制作成各种电路元件结构，从而称为具有特定电性功能的集成电路产品。由于集成电路产品如半导体器件的更新迭代，市场上对半导体器件的导通压降提出了更高的要求，要求在正面制程完成后进一步对晶圆进行减薄工艺，以减小器件的漂移层厚度从而减小器件的导通压降。此外，随着器件结构设计的进一步复杂化，这也对晶圆制程的背面加工工艺提出了更多需求。
[0003]现有临时键合方式的晶圆背面制程加工工艺技术中，在临时键合阶段通常采用键合胶覆盖整片晶圆的形式进行键合。该方式会导致键合胶涂敷质量较差、临时键合阶段溢胶沾污设备以及后续减薄过程中碎片的风险。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有晶圆背面加工工艺中的技术问题，提供一种基于临时键合的晶圆背面加工方法及晶圆。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于临时键合的晶圆背面加工方法，其特征在于：包括以下步骤：在载片上涂覆键合胶并进行洗边处理；对晶圆进行台阶式修边处理，得到具有台阶倒角的晶圆；将载片与晶圆进行键合；对晶圆进行多次减薄处理，直至达到要求厚度；完成第一次晶圆背面工艺。2.根据权利要求1所述的基于临时键合的晶圆背面加工方法，其特征在于：所述台阶式修边通过多次台阶修边方式进行，修边的总深度大于晶圆总减薄厚度。3.根据权利要求1所述的基于临时键合的晶圆背面加工方法，其特征在于：所述对晶圆进行多次减薄处理包括：对晶圆进行第一次减薄处理，减薄厚度为总减薄厚度的88%
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95%；对晶圆进行第二次减薄处理，减薄厚度为总减薄厚度的5%
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12%。4.根据权利要求3所述的基于临时键合的晶圆背面加工方法，其特征在于：对晶圆进行第一次减薄处理与第二次减薄处理间还包括对晶圆进行抛光处理和/或低温退火处理和/或修边处理。5.根据权利要求4所述的基于临时键合的晶圆背面加工方法，其特征在于：所述对晶圆进行多次减薄处理具体包括：对晶圆进行第一次减薄处理，减薄厚度为总减薄厚度的88%
‑
95%；对晶圆进行第一次抛光处理；对晶圆进行低温退火处理；对晶圆进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐义洲，王中健，
申请(专利权)人：成都功成半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：