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本发明公开了基于临时键合的晶圆背面加工方法及晶圆，属于半导体加工技术领域，包括以下步骤：在载片上涂覆键合胶并进行洗边处理；对晶圆进行台阶式修边处理，得到具有台阶倒角的晶圆；将载片与晶圆进行键合；对晶圆进行多次减薄处理，直至达到要求厚度；完成...
该专利属于成都功成半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都功成半导体有限公司授权不得商用。

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