晶片加工用临时粘接剂、晶片层叠体及薄型晶片的制造方法技术

本发明专利技术提供了包含含有无官能性有机聚硅氧烷的热固化性有机硅树脂组合物的、用于将晶片与支撑体临时粘接的晶片加工用临时粘接剂、晶片层叠体及薄型晶片的制造方法。晶片层叠体及薄型晶片的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片加工用临时粘接剂、晶片层叠体及薄型晶片的制造方法


[0001]本专利技术涉及用于晶片加工的临时粘接剂、晶片层叠体及薄型晶片的制造方法。

技术介绍

[0002]为了实现更高密度、更大的容量化，三维半导体封装正变得必不可少。所谓三维封装技术，是将1个半导体芯片薄型化，进而使用硅通孔(TSV：through silicon via)将其导通的同时，层叠为多层的半导体制造技术。为了实现此技术，需要以下工序：通过磨削非电路形成面(也称为背面)使形成有半导体电路的基板薄型化，进而在背面形成包含TSV的电极。以往，在硅基板的背面磨削工序中，在磨削面的相反侧贴背面保护胶带，防止磨削时晶片的破损。然而，虽然该背面保护胶带使用有机树脂膜作为支撑基材，具有柔软性，但是其强度和耐热性不足，不适于进行TSV形成工序和在背面的布线层形成工序。
[0003]于是，提出了通过将半导体基板与硅、玻璃等支撑体介由粘接剂层接合、能够充分承受背面磨削、TSV和背面电极形成的工序的系统。此时重要的是将基板与支撑体接合时的粘接剂层。其需要能将基板与支撑体毫无缝隙地接合，并需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.用于将晶片临时粘接于支撑体的晶片加工用临时粘接剂，其包含含有无官能性有机聚硅氧烷的热固化性有机硅树脂组合物。2.根据权利要求1所述的晶片加工用临时粘接剂，其中，所述含有无官能性有机聚硅氧烷的热固化性有机硅树脂组合物包含：(A)在1分子中具有2个以上的烯基的有机聚硅氧烷：100质量份，(B)在1分子中含有2个以上的与硅原子键合的氢原子即SiH基的有机氢聚硅氧烷：其量满足(B)成分中SiH基的总计相对于(A)成分中烯基的总计以摩尔比计为0.3～10，(C)无官能性有机聚硅氧烷：0.1～200质量份，及(D)氢化硅烷化反应催化剂：相对于(A)、(B)及(C)成分的总质量，以金属原子量换算为0.1～5000ppm。3.根据权利要求2所述的晶片加工用临时粘接剂，其中，(C)成分的无官能性有机聚硅氧烷的30质量％甲苯溶液在25℃的粘度为100～500000mPa
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s。4.根据权利要求1～3中任一项所述的晶片加工用临时粘接剂，其中，相对于所述(A)、(B)及(C)成分的总质量，所述含有无官能性有机聚硅氧烷的热固化性有机硅树脂组合物还包含0.001～10质量份的作为(E)成分的氢化硅烷化反应控制剂。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：武藤光夫，田上昭平，菅生道博，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：