晶圆的减薄方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆的减薄方法，晶圆具有相对设置的正面和背面，减薄方法包括：将耐酸性膜贴设于晶圆的正面；其中，耐酸性膜完全覆盖晶圆的正面；对晶圆的背面进行研磨减薄，直至晶圆的厚度达到目标厚度；利用刻蚀液对晶圆的背面进行平坦化处理。可避免在对背面进行平坦化处理的过程中刻蚀液渗透至晶圆的正面而腐蚀晶圆的正面，也能有效避免影响后续在晶圆的正面进行的蒸发、制作电极等加工工艺，也能避免因晶圆的正面被刻蚀液腐蚀而导致出现半导体器件失效的情况。导体器件失效的情况。导体器件失效的情况。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的减薄方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，特别是涉及一种晶圆的减薄方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，芯片叠层三维封装工艺包括晶圆的减薄工艺，晶圆的减薄工艺通常包括对晶圆的背面进行研磨减薄的过程及对晶圆背面进行刻蚀的过程，然而，传统的晶圆减薄工艺制得的晶圆在制作半导体器件时，会出现半导体器件的可靠性失效的情况。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对传统的晶圆减薄工艺制得的晶圆在制作半导体器件时会出现半导体器件的可靠性失效的情况的问题，提供一种晶圆的减薄方法。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种晶圆的减薄方法，晶圆具有相对设置的正面和背面，所述减薄方法包括：
[0005]将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面；其中，所述耐酸性膜完全覆盖所述晶圆的所述正面；
[0006]对所述晶圆的所述背面进行研磨减薄，直至所述晶圆的厚度达到目标厚度；
[0007]利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理。
[0008]在其中一个实施例中，所述耐酸性膜包括层叠设置的耐酸性基层和粘接层；
[0009]所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面包括：
[0010]将所述耐酸性基层通过所述粘接层粘接于所述晶圆的所述正面。
[0011]在其中一个实施例中，所述耐酸性基层的材质包括聚烯烃共聚物。
[0012]在其中一个实施例中，所述耐酸性基层的厚度大于或等于90μm；和/或
[0013]所述粘接层的厚度大于或等于30μm。
[0014]在其中一个实施例中，所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面包括：
[0015]通过滚轮将所述耐酸性膜压贴于所述晶圆的所述正面。
[0016]在其中一个实施例中，所述耐酸性膜包括完全覆盖于所述晶圆的所述正面的第一部分，以及围绕于所述第一部分的第二部分；
[0017]所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面之后还包括：
[0018]加热切割刀头，并利用加热后的所述切割刀头对所述耐酸性膜进行切割，以将所述第二部分与所述第一部分切除分离。
[0019]在其中一个实施例中，所述利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理包括：
[0020]将所述晶圆浸入所述刻蚀液中静置第一预设时间，以对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理；
[0021]其中，所述刻蚀液包括氢氟酸、硫酸和硝酸。
[0022]在其中一个实施例中，所述第一预设时间小于或等于3分钟。
[0023]在其中一个实施例中，所述利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理之后还包括：
[0024]采用具有预设水温的纯水对所述晶圆进行清洗。
[0025]在其中一个实施例中，所述预设水温小于或等于50℃。
[0026]在其中一个实施例中，对所述晶圆进行清洗的清洗时间不超过6分钟。
[0027]在其中一个实施例中，所述刻蚀液包括具有氧化性的酸性溶液；所述采用具有预设水温的纯水对所述晶圆进行清洗之后还包括：
[0028]去除所述晶圆的背面的氧化膜层。
[0029]在其中一个实施例中，所述去除所述晶圆的背面的氧化膜层包括：
[0030]将所述晶圆浸入氢氟酸溶液中，静置第二预设时间，以去除所述晶圆的背面的氧化膜层；
[0031]其中，所述第二预设时间小于或等于3分钟。
[0032]在其中一个实施例中，所述去除所述晶圆的背面的氧化膜层之后还包括：
[0033]采用具有预设水温的纯水对所述晶圆进行至少一次清洗；
[0034]对所述晶圆进行干燥处理；
[0035]将所述耐酸性膜从所述晶圆上去除。
[0036]上述晶圆的减薄方法，由于耐酸性膜贴设且完全覆盖于晶圆的正面，因此耐酸性膜可对晶圆的正面形成一层保护层，避免在对背面进行平坦化处理的过程中刻蚀液渗透至晶圆的正面而腐蚀晶圆的正面，也能有效避免影响后续在晶圆的正面进行的蒸发、制作电极等加工工艺，也能避免因晶圆的正面被刻蚀液腐蚀而导致出现半导体器件失效的情况。
附图说明
[0037]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0038]图1示出了本申请第一实施例中的晶圆的减薄方法的流程示意图；
[0039]图2示出了本申请一实施例中的晶圆和耐酸性膜的结构示意图；
[0040]图3示出了本申请第二实施例中的晶圆的减薄方法的流程示意图；
[0041]图4示出了本申请一实施例中的晶圆、耐酸性膜和滚轮的结构示意图；
[0042]图5示出了本申请一实施例中的耐酸性膜完全覆盖于晶圆时的结构示意图；
[0043]图6示出了本申请另一实施例中的晶圆和耐酸性膜的结构示意图；
[0044]图7示出了图6的A处的放大示意图；
[0045]图8示出了本申请第三实施例中的晶圆的减薄方法的流程示意图；
[0046]图9示出了本申请第四实施例中的晶圆的减薄方法的流程示意图；
[0047]图10示出了本申请第五实施例中的晶圆的减薄方法的流程示意图。
[0048]附图标记说明：210、晶圆；211、正面；212、背面；220、耐酸性膜；221、耐酸性基层；222、粘接层；230、滚轮；2201、第一部分；2202、第二部分。
具体实施方式
[0049]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0050]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0051]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的减薄方法，晶圆具有相对设置的正面和背面，其特征在于，所述减薄方法包括：将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面；其中，所述耐酸性膜完全覆盖所述晶圆的所述正面；对所述晶圆的所述背面进行研磨减薄，直至所述晶圆的厚度达到目标厚度；利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理。2.根据权利要求1所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述耐酸性膜包括层叠设置的耐酸性基层和粘接层；所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面包括：将所述耐酸性基层通过所述粘接层粘接于所述晶圆的所述正面。3.根据权利要求2所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述耐酸性基层的材质包括聚烯烃共聚物。4.根据权利要求2所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述耐酸性基层的厚度大于或等于90μm；和/或所述粘接层的厚度大于或等于30μm。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面包括：通过滚轮将所述耐酸性膜压贴于所述晶圆的所述正面。6.根据权利要求5所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述耐酸性膜包括完全覆盖于所述晶圆的所述正面的第一部分，以及围绕于所述第一部分的第二部分；所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面之后还包括：加热切割刀头，并利用加热后的所述切割刀头对所述耐酸性膜进行切割，以将所述第二部分与所述第一部分切除分离。7.根据权利要求1
‑
4任一项所述的晶圆的减薄方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁玉发，许捷，姜剑光，时家淳，高鹏程，段亦峰，刘峰松，吴贤勇，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：