【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体沟槽的填充方法和半导体沟槽结构。
技术介绍
1、半导体浅槽隔离(shallow trench isolation，简称sti)工艺是一种重要的半导体制造工艺，它作为制造高性能集成电路的关键步骤之一，主要用于0.25μm和以下的技术节点。浅槽隔离工艺可以在晶体管之间形成一道非常薄的隔离层，从而减小晶体管之间的电容，提高集成电路的速度和功耗。此外，浅槽隔离工艺还可以防止电子干扰和电流泄漏，提高集成电路的可靠性和稳定性，浅槽隔离工艺已经成为了现代半导体制造中不可或缺的一部分。沟槽填充工艺通过将一种绝缘材料填入沟槽中，以增强晶体管之间的隔离效果，是浅槽隔离工艺中的关键步骤。高密度等离子体化学气相沉积(high-density plasmachemical vapor deposition，简称hdpcvd或者hdp)工艺是浅槽隔离填充的常用工艺，其包含沉积以及轰击的传统填充方法和沉积以及轰击加刻蚀的先进填充方法。但高密度等离子体化学气相沉积工艺填充的沟槽的最大深宽比为5：1，当需要填充更大深宽比的沟槽...
【技术保护点】
1.一种半导体沟槽的填充方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比大于5。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述高张应力氮化硅薄膜层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺采用硅烷和氨气作为反应气体。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述高张应力氮化硅薄膜层的步骤中，采用紫外线固化所述高张应力氮化硅薄膜层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的在所述沟槽的底部形成衬垫层的步骤进一步
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【技术特征摘要】
1.一种半导体沟槽的填充方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比大于5。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述高张应力氮化硅薄膜层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺采用硅烷和氨气作为反应气体。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述高张应力氮化硅薄膜层的步骤中，采用紫外线固化所述高张应力氮化硅薄膜层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的在所述沟槽的底部形成衬垫层的步骤进一步包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，采用次常压化学气相沉积工艺在所述沟槽内...
【专利技术属性】
技术研发人员：靳耀乐，严翔，闫晓晖，张强强，丁丽真，薛琬晴，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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