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本发明提供了一种半导体沟槽的填充方法和半导体沟槽结构，在填充半导体衬底上的沟槽时，在所述沟槽的底部以及侧壁形成高张应力氮化硅薄膜层，随后在所述沟槽的底部的所述高张应力氮化硅薄膜层表面形成衬垫层，并且在所述衬垫层的基础上，采用高密度等离子体化...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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