一种SiC晶圆自动键合热氧生长方法技术

本发明专利技术公开了一种SiC晶圆自动键合热氧生长方法，包括热氧第一次生长、先减薄后CMP抛光，热氧第二次生长、湿法刻蚀、减薄、激光退火，热氧第三次生长、减薄，热氧第四次生长、湿法刻蚀、减薄和激光退火。本发明专利技术将采用4种不同类型二氧化硅进行多次热氧生长，并采用热氧生长、湿法刻蚀、CMP抛光以及激光退火等相结合方式消除晶圆在热氧生长中的内应力，在保证热氧生长厚度的同时采用湿法刻蚀、CMP抛光以及激光退火方式等消除晶圆内应力。本发明专利技术防止内应力聚集出现的晶圆翘曲进而避免晶圆在键合时产生空洞现象，对后续的进一步减薄制程产生影响；这样保证后续的减薄等制程的稳定性，提升生产制造良率。生产制造良率。生产制造良率。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC晶圆自动键合热氧生长方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种SiC晶圆自动键合热氧生长方法。

技术介绍

[0002]随着半导体功率器件更新迭代，作为三代半导体代表的碳化硅(Silicon Carbide，SiC)材料凭借其宽禁带、高电子迁移率以及高热导性正逐渐在功率器件领域被广泛应用。而在功率器件制造领域，其往往要进行晶圆的背面工艺制程。而传统的单片晶圆背面工艺制程往往对晶圆正面产生一定影响，因此需要在背面工艺制程前对晶圆进行键合，从而对晶圆的正面进行保护。
[0003]传统的碳化硅晶圆自动键合工艺，是在晶圆表面生长一层50nm
‑
200nm的热氧，通过热氧离子激活，然后与水分子结合，最后进行退火形成Si
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O
‑
Si键，完成晶圆间的自动键合。传统的碳化硅晶圆自动键合工艺适应于低压小尺寸器件。但是，对于高压大尺寸器件，一片晶圆一般只有1个或2个晶粒（die），在特定情况下器件与晶圆工艺控制监控（PCM）区域台阶较大，需要对晶圆进行厚热氧生长覆盖台阶才能完本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC晶圆自动键合热氧生长方法，其特征在于，该方法包括：S1：对SiC晶圆进行第一类型SiO2的热氧生长；S2：对第一次热氧生长后的SiC晶圆进行减薄、抛光工艺，得到第一次热氧结构；S3：对第一次热氧结构进行第二类型SiO2的热氧生长；S4：对第二次氧生长后的SiC晶圆进行湿法刻蚀、减薄和激光退火工艺，得到第二次热氧结构；S5：对第二次热氧结构进行第三类型SiO2的热氧生长；S6：对第三次热氧生长后的SiC晶圆进行减薄工艺，得到第三次热氧结构；S7：对第三次热氧结构进行第四类型SiO2的热氧生长；S8：对第四次热氧生长后的SiC晶圆进行湿法刻蚀、减薄和激光退火工艺，得到第四次热氧结构，从而完成SiC晶圆自动键合热氧生长；其中，第一类型SiO2的热氧内应力方向与第二类型SiO2的热氧内应力方向相反、第三类型SiO2的热氧内应力方向与第四类型SiO2的热氧内应力方向相反，第一类型SiO2的热氧内应力方向、第二类型SiO2的热氧内应力方向和第三类型SiO2的热氧内应力方向、第四类型SiO2的热氧内应力方向互相垂直。2.根据权利要求1所述的一种SiC晶圆自动键合热氧生长方法，其特征在于，该方法按照步骤S1至S8循环执行n轮，其中n为正整数。3.根据权利要求1所述的一种SiC晶圆自动键合热氧生长方法，其特征在于，所述第一类型SiO2的热氧内应力方向为X轴正方向；所述第二类型SiO2的热氧内应力方向为X轴反方向；所述第三类型SiO2的热氧内应力方向为Y轴正方向；所述第四类型SiO2的热氧内应力方向为Y轴负方向；其中，X轴方向、Y轴方向是以SiC晶圆为坐标系形成坐标轴。4.根据权利要求1所述的一种SiC晶圆自动键合热氧生长方法，其特征在于，所述第一类型SiO2的热氧生长厚度与第二类型SiO2的热氧生长厚度相等，第三类型SiO2的热氧生长厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐义洲，王中健，
申请(专利权)人：成都功成半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：