基板处理装置、基板处理方法及程序制造方法及图纸

基板处理装置具有：筒状的外管，其上端被封堵且下端开口；内管，其设在外管的内部，形成为上端被封堵且下端开口的筒状，能够在内部对基板进行处理；形成为筒状的歧管，其与外管的下端和内管的下端连接，且与内管的处理室连通，具备相对于内管与外管之间的环状空间隔离的排气空间；处理气体喷管，其向内管的内部供给进行基板处理的处理气体；吹扫气体喷管，其向环状空间供给吹扫气体；以及流导可变部，其设在环状空间与排气空间之间，使气体能够从环状空间与排气空间之间通过。状空间与排气空间之间通过。状空间与排气空间之间通过。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、基板处理方法及程序


[0001]本专利技术涉及基板处理装置、基板处理方法及程序。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路装置(以下称为IC(Integrated Circuit))的制造方法中，对于在硅晶片上成膜出多晶或单晶的硅或硅锗，例如使用批量式纵形热壁式CVD成膜装置(以下称为基板处理装置)。
[0003]在这种基板处理装置中，具有如下基板处理装置：具备外管和配置在外管的内侧的内管，通过将硅晶片搬入到内管，在向内管内供给处理气体的同时以加热器对该内管内进行加热，对硅晶片进行成膜(例如参照日本特开2003
‑
203868号公报、日本特开2006
‑
5198号公报)。

技术实现思路

[0004]但是，在这样的基板处理装置中，若处理气体流入到内管与外管之间的空间，则会导致在外管的面向该空间的内表面上生成反应产物的膜(例如硅或硅锗的堆积膜)，除去外管中的反应产物费事。
[0005]本专利技术的目的在于提供一种能够抑制在外管的内表面上生成反应产物的膜的技术。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，具有：筒状的外管，其上端被封堵且下端开口；内管，其设在所述外管的内部，形成为上端被封堵且下端开口的筒状，能够在内部对基板进行处理；形成为筒状的歧管，其设在所述外管及所述内管的下方，与所述内管的内部空间连通，具备相对于所述内管与所述外管之间的环状空间隔离的排气空间；处理气体喷管，其向所述内管的内部供给进行所述基板的处理的处理气体；吹扫气体喷管，其向所述环状空间供给吹扫气体；以及流导可变部，其设在所述环状空间与所述排气空间之间的隔壁部，使气体能够从所述环状空间与所述排气空间之间通过，且能够使所述气体通过的流导可变。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，在所述内管的下端设有安装部件，该安装部件能够使所述内管从筒状的所述歧管的开口插入，并且能够装拆地安装在所述歧管的内周部上所形成的环状的朝内凸缘。3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，具有：对所述内部空间的压力进行检测的第1压力计；和对所述环状空间的压力进行检测的第2压力计。4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，所述内管由相对于在通过所述处理气体对所述基板进行处理时堆积在所述内管内侧的表面上的堆积物的线膨胀系数而具有
±
8％以下的线膨胀系数的材料形成。5.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述内管由具有与所述堆积物的线膨胀系数实质相等的线膨胀系数的材料形成。6.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述堆积物为硅，所述内管为以碳化硅为主原料的烧结体。7.如权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述流导可变部具有贯穿设置在所述隔壁部上的多个螺纹孔和与所述多个螺纹孔中的某一个螺纹孔螺合的至少一个螺钉。8.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述歧管具备：上凸缘，其设在筒部的一端且经由第1密封材料与所述外管连接；下凸缘，其设在所述筒部的另一端且经由...

【专利技术属性】
技术研发人员：三部诚，平野敦士，阿部贤卓，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：