基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序、辅助板以及基板保持件制造方法及图纸

提供一种能够提高基板处理的均匀性的技术。提供具有处理多个基板的处理室、装载多个基板的基板保持件以及在处理室内形成等离子体的电极并在多个基板之间设置辅助由电极进行的等离子体的形成的辅助板的技术。行的等离子体的形成的辅助板的技术。行的等离子体的形成的辅助板的技术。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序、辅助板以及基板保持件


[0001]本专利技术涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序、辅助板以及基板保持件。

技术介绍

[0002]作为半导体装置(设备)的制造工序的一工序进行向基板处理装置的处理室内搬入基板、向处理室内供给原料气体与反应气体并在基板上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等的各种膜、去除各种膜的基板处理。
[0003]在形成微细图案的量产设备中，为了抑制杂质的扩散、能够使用有机材料等的耐热性低的材料而要求低温化。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2007
‑
324477号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]为了解决这样的问题，一般进行使用等离子体进行基板处理的工序，若处理的基板的表面积显著增大，则由于由等离子体生成的离子、原子团等的活性物质的供给量相对于需求量不足，会存在其处理能力在基板中央部降低、即均匀地实施对基板的处理变得困难的情况。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理多个基板的处理室；装载上述多个基板的基板保持件；以及在上述处理室内形成等离子体的电极，在上述多个基板之间设置辅助由上述电极进行的等离子体的形成的辅助板。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述辅助板设置于上述多个基板各自的上部。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，上述辅助板由直径比上述基板小的中心板和多个翅片板构成。4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，上述辅助板由与上述基板的直径相等的环状的环状板和多个翅片板构成。5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，上述辅助板利用上述多个翅片板增强来自上述电极的电场，在上述处理室内形成等离子体。6.根据权利要求1～5任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述辅助板由绝缘部件构成。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述辅助板由SiC、SiO、SiN、GaO、GaN、AlO、AlN、ZrO中的任一个构成。8.根据权利要求1～7任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具备加热上述多个基板的加热部。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述辅助板吸收来自上述加热部的热量，向上述基板供给辐射热量。10.根据权利要求3～5任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述翅片板为4张以上且20张以下。11.根据权利要求3～5任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述翅片板是相同的形状。12.根据权利要求3～5任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述翅片板是扇形状。13.根据权利要求3～5任一项所述的基板处理装置，其特征在于，两张上述翅片板之间的面积与一张...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹田刚，原大介，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：