密封构造、基板处理装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

密封构造是对被加热器加热的第一部件和与第一部件对置地配置的第二部件之间进行密封的密封构造，该密封构造具有：金属板，其与第一部件接触地配置；树脂制的密封材料，其与金属板和第二部件接触地配置，通过金属板和密封材料对第一部件与第二部件之间进行密封。材料对第一部件与第二部件之间进行密封。材料对第一部件与第二部件之间进行密封。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】密封构造、基板处理装置以及半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及密封构造、基板处理装置以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在形成闪存等半导体装置的图案时，作为制造工序的一工序，有时实施对基板进行氧化处理、氮化处理等规定的处理的工序。
[0003]例如，在日本特开2014
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75579号公报中公开了使用等离子体激发后的处理气体对形成在基板上的图案表面进行改性处理。在处理室的上部设置有气体供给部，构成为能够向处理室内供给反应气体。

技术实现思路

[0004]专利技术要解决的课题
[0005]在基板处理装置中，有时设置有用于防止处理装置内的气体的混合、气体的泄漏等的密封构造。但是，从设置于基板处理装置的加热器放出的热较多地传递至密封构造的密封材料，从密封材料的耐热性的观点出发是不优选的。
[0006]本公开的目的在于，抑制加热器的热引起的密封材料的加热。
[0007]用于解决课题的手段
[0008]根据本公开的一方式，提供一种密封构造，其对被加热器加热的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种密封构造，其对被加热器加热的第一部件和与所述第一部件对置地配置的第二部件之间进行密封，其特征在于，所述密封构造具有：金属板，其与所述第一部件接触地配置；树脂制的密封材料，其与所述金属板和所述第二部件接触地配置，通过所述金属板和所述密封材料对所述第一部件与所述第二部件之间进行密封。2.根据权利要求1所述的密封构造，其特征在于，所述金属板在远离所述密封材料的位置与所述第二部件接触而被固定。3.根据权利要求1或2所述的密封构造，其特征在于，第二部件由冷却机构进行冷却。4.根据权利要求1所述的密封构造，其特征在于，金属板被配置为遮蔽从所述加热器向所述密封材料的辐射热。5.根据权利要求1～4中任一项所述的密封构造，其特征在于，所述加热器包含灯加热器。6.根据权利要求5所述的密封构造，其特征在于，所述加热器包含电阻加热器。7.根据权利要求1～6中任一项所述的密封构造，其特征在于，所述第一部件被设置在所述加热器与基板的处理室之间，由使来自所述加热器的辐射热透过到处理室内的板构成。8.根据权利要求7所述的密封构造，其特征在于，所述第一部件由所述板和与所述金属板接触的接触部构成。9.根据权利要求1～8中任一项所述的密封构造，其特征在于，所述密封构造构成为对形成于所述第一部件的上方且被供给第一气体的第一缓冲空间与形成于第一部件和第二部件之间且被供给第二气体的第二缓冲空间之间进行密封。10.根据权利要求9所述的密封构造，其特征在于，所述密封构造构成为对减压后的所述第一缓冲空间与减压后的所述第一缓冲空间之间进行密封。11.根据权利要求1～10中任一项所述的密封构造，其特征在于，所述第一部件和所述第二部件彼此非接触地配置。12.根据权利要求1～11中任一项所述的密封构造，其特征在于，所述第二部件由金属构成。13.根据权利要求1～12中任一项所述的密封构造，其特征在于，所述第一部件由非金属构成。14.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤崇之，稻田哲明，佐佐木健太，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：