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本发明公开了一种SiC晶圆自动键合热氧生长方法，包括热氧第一次生长、先减薄后CMP抛光，热氧第二次生长、湿法刻蚀、减薄、激光退火，热氧第三次生长、减薄，热氧第四次生长、湿法刻蚀、减薄和激光退火。本发明将采用4种不同类型二氧化硅进行多次热氧生...
该专利属于成都功成半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都功成半导体有限公司授权不得商用。

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