化学气相沉积设备清洁方法、装置、电子设备和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种化学气相沉积设备清洁方法、装置、电子设备和存储介质，其中方法包括：获取当前的工艺类型下化学气相沉积设备内部薄膜的沉积速度、当前的工艺类型对应的最大沉积厚度和清洁刻蚀速度；单次工艺流程结束后，基于化学气相沉积设备上一次清洁的时间至当前时间的时间段内化学气相沉积设备进行沉积工艺的时长，以及化学气相沉积设备内薄膜的沉积速度，确定化学气相沉积设备内的沉积薄膜厚度；若沉积薄膜厚度大于等于最大沉积厚度，则基于沉积薄膜厚度以及清洁刻蚀速度，确定预设清洁时长；发送沉积清洁命令，以对化学气相沉积设备进行沉积清洁。本发明专利技术提升了设备清洁的及时性，并且提升了设备清洁的充分性和恰当性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积设备清洁方法、装置、电子设备和存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种化学气相沉积设备清洁方法、装置、电子设备和存储介质。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中，通常需要在化学气相沉积设备的工艺腔体内部进行化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD），通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源在基片表面形成薄膜、晶须和晶粒。
[0003]在化学气相沉积过程中，沉积的薄膜材料除了会沉积在基片上，也会附着在化学气相沉积设备的工艺腔体的内壁。当附着在工艺腔体内壁的沉积薄膜厚度累积至相当数量时，容易脱落而影响成膜品质，影响产品的良率。因此，在处理过一定数量的基片之后，就需要对工艺腔体内壁进行清洗，以除去附着在工艺腔体内壁的沉积物。
[0004]目前，通常的清洁方案是以固定频率对工艺腔体进行清洁，例如在同一批次的基片完成工艺流程后、另一批次的基片开始工艺流程前，对工艺腔体进行清洁，且清洁时长通常由人工预先根据经验进行预测。然而，上述固定进行清洁的方案灵活性不足，若清洁的频率设置得过高，清洁时间过长会严重影响化学气相沉积设备的工艺效率，而清洁的频率设置得过低，则清洁的及时性不足，易影响化学气相沉积设备的工艺质量。并且，人工预测清洁时长的方式准确性不足，容易导致清洁不足或清洁过度，同样会影响化学气相沉积设备的工艺质量。
[0005]此外，部分清洁方案会在化学气相沉积设备内部添加各类传感器，以实时检测化学气相沉积设备的工艺腔体内壁沉积的薄膜厚度，从而判断是否需要进行清洁或是停止清洁。然而，此种方式需要额外在工艺腔体内部部署安装多个传感器，增加了较高的硬件成本，且薄膜厚度为um级别，故传感器的误差或错误会对清洁的开始时机和停止时机的确定产生干扰，造成清洁不及时、清洁不到位或清洁过度等后果。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供一种化学气相沉积设备清洁方法、装置、电子设备和存储介质，用以解决现有技术中灵活性、准确性不足的缺陷。
[0007]本专利技术提供一种化学气相沉积设备清洁方法，包括：基于化学气相沉积设备当前的工艺类型，确定所述当前的工艺类型下所述化学气相沉积设备内部薄膜的沉积速度、最大沉积厚度和清洁刻蚀速度；单次工艺流程结束后，基于所述化学气相沉积设备上一次清洁的时间至当前时间的时间段内进行沉积工艺的时长，以及所述化学气相沉积设备内薄膜的沉积速度，确定所述化学气相沉积设备内的沉积薄膜厚度；若所述沉积薄膜厚度大于等于所述最大沉积厚度，则基于所述沉积薄膜厚度以及所述清洁刻蚀速度，确定所述化学气相沉积设备的预设清洁时长；
发送沉积清洁命令；其中，所述沉积清洁命令中包含所述化学气相沉积设备的清洁类型和预设清洁时长。
[0008]根据本专利技术提供的一种化学气相沉积设备清洁方法，所述基于所述沉积薄膜厚度以及所述清洁刻蚀速度，确定所述化学气相沉积设备的预设清洁时长，具体包括：基于所述化学气相沉积设备当前的工艺类型，确定所述化学气相沉积设备的清洁类型；基于所述化学气相沉积设备的清洁类型，确定所述化学气相沉积设备在清洁过程中单位时间内的原材料损耗；基于所述化学气相沉积设备在清洁过程中单位时间内的原材料损耗，确定所述清洁类型对应的清洁调整系数；其中，所述清洁调整系数大于1；基于所述沉积薄膜厚度与所述清洁刻蚀速度之间的比例，以及所述清洁类型对应的清洁调整系数，确定所述化学气相沉积设备的预设清洁时长。
[0009]根据本专利技术提供的一种化学气相沉积设备清洁方法，所述发送沉积清洁命令，之后还包括：基于所述化学气相沉积设备的清洁类型，确定所述化学气相沉积设备在清洁过程中的反应结束温度；在所述化学气相沉积设备的清洁过程中，实时监控所述化学气相沉积设备各个部位的温度；若所述化学气相沉积设备各个部位的温度在预设时间段内低于所述反应结束温度，则发送清洁终止命令，以提前结束所述化学气相沉积设备的清洁过程。
[0010]根据本专利技术提供的一种化学气相沉积设备清洁方法，所述在所述化学气相沉积设备的清洁过程中，实时监控所述化学气相沉积设备各个部位的温度，之后还包括：若所述化学气相沉积设备的清洁时长已达到所述预设清洁时长，且所述化学气相沉积设备的任一部位的温度高于所述反应结束温度，则发送清洁延长命令，以延长所述化学气相沉积设备的清洁过程。
[0011]根据本专利技术提供的一种化学气相沉积设备清洁方法，所述若所述化学气相沉积设备的清洁时长已达到所述预设清洁时长，且所述化学气相沉积设备的任一部位的温度高于所述反应结束温度，则发送清洁延长命令，以延长所述化学气相沉积设备的清洁过程，具体包括：基于所述化学气相沉积设备的清洁类型，确定所述化学气相沉积设备在清洁过程中的反应温度；当所述化学气相沉积设备的清洁时长达到所述预设清洁时长时，若所述化学气相沉积设备的任一部位的当前温度高于所述反应结束温度且所述任一部位在预设时间间隔之前的温度大于等于所述反应温度，则发送清洁延长命令，以延长所述化学气相沉积设备的清洁过程。
[0012]根据本专利技术提供的一种化学气相沉积设备清洁方法，还包括：基于单次沉积工艺的时长，以及所述当前的工艺类型下所述化学气相沉积设备内部薄膜的沉积速度，确定所述单次沉积工艺的单次沉积厚度；单次工艺流程结束后，若所述沉积薄膜厚度小于所述最大沉积厚度，且所述沉积
薄膜厚度与所述单次沉积厚度之和大于所述最大沉积厚度，则基于所述沉积薄膜厚度以及所述清洁刻蚀速度，确定所述化学气相沉积设备的预设清洁时长，并发送沉积清洁命令。
[0013]根据本专利技术提供的一种化学气相沉积设备清洁方法，还包括：单次工艺流程结束后，若所述化学气相沉积设备将切换工艺类型，则基于所述沉积薄膜厚度以及所述清洁刻蚀速度，确定所述化学气相沉积设备的预设清洁时长，并发送沉积清洁命令。
[0014]本专利技术还提供一种化学气相沉积设备清洁装置，包括：参数确定单元，用于基于化学气相沉积设备当前的工艺类型，确定所述当前的工艺类型下所述化学气相沉积设备内部薄膜的沉积速度、最大沉积厚度和清洁刻蚀速度；沉积厚度确定单元，用于单次工艺流程结束后，基于所述化学气相沉积设备上一次清洁的时间至当前时间的时间段内进行沉积工艺的时长，以及所述化学气相沉积设备内薄膜的沉积速度，确定所述化学气相沉积设备内的沉积薄膜厚度；清洁时长确定单元，用于若所述沉积薄膜厚度大于等于所述最大沉积厚度，则基于所述沉积薄膜厚度以及所述清洁刻蚀速度，确定所述化学气相沉积设备的预设清洁时长；清洁过程开启单元，用于发送沉积清洁命令；其中，所述沉积清洁命令中包含所述化学气相沉积设备的清洁类型和预设清洁时长。
[0015]本专利技术还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述任一种所述化学气相沉积设备清洁方法的步骤。
[0016]本专利技术还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述化学气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积设备清洁方法，其特征在于，包括：基于化学气相沉积设备当前的工艺类型，确定所述当前的工艺类型下所述化学气相沉积设备内部薄膜的沉积速度、最大沉积厚度和清洁刻蚀速度；单次工艺流程结束后，基于所述化学气相沉积设备上一次清洁的时间至当前时间的时间段内进行沉积工艺的时长，以及所述化学气相沉积设备内薄膜的沉积速度，确定所述化学气相沉积设备内的沉积薄膜厚度；若所述沉积薄膜厚度大于等于所述最大沉积厚度，则基于所述沉积薄膜厚度以及所述清洁刻蚀速度，确定所述化学气相沉积设备的预设清洁时长；发送沉积清洁命令；其中，所述沉积清洁命令中包含所述化学气相沉积设备的清洁类型和预设清洁时长。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备清洁方法，其特征在于，所述基于所述沉积薄膜厚度以及所述清洁刻蚀速度，确定所述化学气相沉积设备的预设清洁时长，具体包括：基于所述化学气相沉积设备当前的工艺类型，确定所述化学气相沉积设备的清洁类型；基于所述化学气相沉积设备的清洁类型，确定所述化学气相沉积设备在清洁过程中单位时间内的原材料损耗；基于所述化学气相沉积设备在清洁过程中单位时间内的原材料损耗，确定所述清洁类型对应的清洁调整系数；其中，所述清洁调整系数大于1；基于所述沉积薄膜厚度与所述清洁刻蚀速度之间的比例，以及所述清洁类型对应的清洁调整系数，确定所述化学气相沉积设备的预设清洁时长。3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备清洁方法，其特征在于，所述发送沉积清洁命令，之后还包括：基于所述化学气相沉积设备的清洁类型，确定所述化学气相沉积设备在清洁过程中的反应结束温度；在所述化学气相沉积设备的清洁过程中，实时监控所述化学气相沉积设备各个部位的温度；若所述化学气相沉积设备各个部位的温度在预设时间段内低于所述反应结束温度，则发送清洁终止命令，以提前结束所述化学气相沉积设备的清洁过程。4.根据权利要求3所述的化学气相沉积设备清洁方法，其特征在于，所述在所述化学气相沉积设备的清洁过程中，实时监控所述化学气相沉积设备各个部位的温度，之后还包括：若所述化学气相沉积设备的清洁时长已达到所述预设清洁时长，且所述化学气相沉积设备的任一部位的温度高于所述反应结束温度，则发送清洁延长命令，以延长所述化学气相沉积设备的清洁过程。5.根据权利要求4所述的化学气相沉积设备清洁方法，其特征在于，所述若所述化学气相沉积设备的清洁时长已达到所述预设清洁时长，且所述化学气相沉积设备的任一部位的温度高于所述反应结束温度，则发送清洁延长...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮正华，王孝亮，
申请(专利权)人：无锡邑文电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：