半导体集成电路器件制造技术

集成电路具备：把９０度相位差赋予本地信号的第１移相器；使本地信号和接收信号混频的第１和第２混频电路；把９０度相位差赋予第１和第２混频电路的输出信号，输出第１和第２信号的第２移相器；进行第１和第２信号之间的加法和减法运算的加法器和减法器；将减法器输出信号的强度和基准强度进行比较的信号强度检测器；根据该比较结果，使第１和第２混频电路中的任何一方，或使第１和第２混频电路中的任何一方与第１移相器的动作停止的电源控制电路。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具备混频器的半导体集成电路器件。
技术介绍
在无线通信中，为实现低价位化，常常使用图象除去混频器。该图象除去混频器，如图7所示，由于要使用2个混频电路MIX1、MIX2来取代外加的图象除去滤波器，故成为功耗增大的主要原因。以现有的图象除去混频器为例，用图7和图8，对动作进行说明。另外，在以下的说明中，ωi＞ωLO＞ωd，ωIF＝ωLO-ωd。此外，含有图象信号的高频接收信号(以下，称之为RF(射频)信号)表示为cosωdt+cosωit，作为变换载波的本地信号(以下，称之为LO(本地)信号)表示为cosωLO(为简化起见，振幅被省略)。首先，分别向第1和第2混频电路MIX1、MIX2，输入RF信号。然后，向第1和第2混频电路MIX1、MIX2分别输入因通过第1移相器11而被赋予90度相位差的LO信号。在这里，考虑这样的情况使向第1混频电路MIX1输入的LO信号的相位偏移90度，使向第2混频电路MIX2输入的LO信号的相位变成为0度。其次，分别用第1和第2混频电路MIX1、MIX2使RF信号和LO信号进行混频。其结果是分别输出中间频率信号(以下，称之为IF(中频)信号)x1(t)、x2(t)，借助于用低通滤波器除去高频成分，可以用以下的公式(1)、(2)表示。x1(t)＝(cosωdt+cosωit)×{cos(ωLOt-п/2)}＝(1/2){sin(ωd+ωLO)+sin(ωd-ωLO)+sin(ωi+ωLO)+sin(ωi-ωLO)}＝(1/2){sin(ωd+ωLO)+sin(ωd-ωLO)+sin(ωi+ωLO)-sin(ωLO-ωi)}＝(1/2){sin(ωd-ωLO)-sin(ωLO-ωi)}…(1) x2(t)＝(cosωdt+cosωit)×cosωLOt＝(1/2){cos(ωd+ωLO)+cos(ωd-ωLO)+cos(ωi+ωLO)+cos(ωi-ωLO)}＝(1/2){cos(ωd+ωLO)+cos(ωd-ωLO)+cos(ωi+ωLO)+cos(ωLO-ωi)}＝(1/2){cos(ωd-ωLO)+cos(ωLO-ωi)}…(2)其次，IF信号x1(t)、x2(t)，用第2移相器产生90度的相位差。在这里，考虑设IF信号x1(t)的相位为0度，IF信号x2(t)的相位偏移了90度的情况。因此，在信号路径1的情况下输出IF信号x1(t)，而在信号路径2的情况下则输出以下的公式(3)所示的IF信号x3(t)。x3(t)＝(1/2){cos(ωd-ωLO-п/2)+cos(ωLO-ωi-п/2)}＝(1/2){sin(ωd-ωLO)+sin(ωLO-ωi)}…(3)其次，采用用加法器13使IF信号x1(t)和IF信号x3(t)相加的办法，输出以下的公式(4)所示的IFOUT1信号。IFOUT1＝x1(t)+x3(t)＝(1/2){sin(ωd-ωLO)-sin(ωLO-ωi)+sin(ωd-ωLO)+sin(ωLO-ωi)}＝sin(ωd-ωLO)＝-sin(ωLO-ωd)…(4)如该公式(4)所示，在ωIF(＝ωLO-ωd)中将仅仅剩下所期望的波成分ωd。即，采用使x1(t)与x3(t)相加的办法，不须使用外部滤波器就可以除去图象信号。但是，上述现有的图象除去混频器，与在外部具有图象除去滤波器的情况比较，存在着因要使2个混频电路动作而使功耗增大的问题。
技术实现思路
本专利技术的某一方面的半导体集成电路器件，具备把90度的相位差赋予本地信号的第1移相器；使用第1移相器赋予相位差的上述本地信号和接收信号进行混频的第1和第2混频电路；把90度的相位差赋予上述第1和第2混频电路的输出信号，输出被赋予该90度相位差的第1和第2信号的第2移相器；进行上述第1信号和上述第2信号之间的加法运算的加法器；进行上述第1信号和第2信号之间的减法运算的减法器；对上述减法器的输出信号的强度和基准强度进行比较的信号强度检测器；根据上述减法器的输出信号的强度和上述基准强度之间的比较结果，使上述第1和第2混频电路中的任何一方，或使上述第1和第2混频电路中的任何一方与上述第1移相器的动作停止的电源控制电路。附图说明图1的电路图示出了本专利技术的实施例1的半导体集成电路器件。图2的电路图示出了本专利技术的实施例1的另外一个半导体集成电路器件。图3的电路图示出了本专利技术的实施例2的半导体集成电路器件。图4、图5电路图示出了本专利技术的实施例2的另外一个半导体集成电路器件。图6的电路图示出了本专利技术的实施例3的半导体集成电路器件。图7的电路图示出了现有技术的半导体集成电路器件。图8示出了现有技术的半导体集成电路器件中的信号频率关系。具体实施例方式以下，参看附图说明本专利技术的实施例，在进行该说明时，在全部的附图中，对于共同的部分赋予共同的标号。{实施例1}实施例1是对该图象信号的强度进行检测，并根据图象信号的强度使构成频率变换器的电路的一部分停止的实施例。图1示出了本专利技术的实施例1的半导体集成电路器件的电路图。如图1所示，实施例1的半导体集成电路器件具备第1混频电路MIX1；第2混频电路MIX2；第1移相器11；第2移相器12；加法器13；减法器14；信号强度检测器15和电源控制电路16。信号强度检测器15输出与图象信号的强度对应的信号，并用该信号控制电源控制电路16。这样的实施例1的半导体集成电路器件进行如下的动作。另外，在以下的说明中，ωi＞ωLO＞ωd，ωIF＝ωLO-ωd。此外，含有图象信号的高频接收信号(以下，称之为RF(射频)信号)表示为cosωdt+cosωit，作为变换载波的本地信号(以下，称之为LO(本地)信号)表示为cosωLO(为简化起见，振幅被省略)。首先，分别向第1和第2混频电路MIX1、MIX2输入RF信号。然后，分别向第1和第2混频电路MIX1、MIX2输入因通过第1移相器11而被赋予90度相位差的LO信号。在这里，考虑这样的情况使向第1混频电路MIX1输入的LO信号的相位偏移90度，使向到2混频电路MIX2输入的LO信号的相位变成为0度。其次，分别用第1和第2混频电路MIX1、MIX2使RF信号和LO信号进行混频。其结果是分别输出中间频率信号(以下，称之为IF(中频)信号)x1(t)、x2(t)。其次，IF信号x1(t)、x2(t)，用第2移相器12产生90度的相位差。在这里，考虑设IF信号x1(t)的相位为0度，IF信号x2(t)的相位偏移了90度的情况。因此，在信号路径1的情况下输出IF信号x1(t)，而在信号路径2的情况下则输出IF信号x3(t)。其次，采用用加法器13使IF信号x1(t)和IF信号x3(t)相加的办法，输出IFOUT1信号。另一方面，采用用加法器14从IF信号x1(t)中减去IF信号x3(t)的办法，输出IFOUT2信号。在这里，仅仅在IFOUT1信号中，才会出现所期望的波成分ωd(参看公式(5))，仅仅在IFOUT2信号中才会出现图象频率成分ωi(参看公式(6)). IFOUT1＝x1(t)+x3(t)＝(1/2){sin(ωd-ωLO)-sin(ωLO-ωi)+sin(ωd-ωLO)+sin(ωLO-ωi)}＝sin(ωd-ωLO)＝-sin(ωLO-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路器件，具备：把９０度的相位差赋予本地信号的第１移相器；使用上述第１移相器赋予相位差的上述本地信号和接收信号进行混频的第１和第２混频电路；把９０度的相位差赋予上述第１和第２混频电路的输出信号，输出被赋予该９０度相位差的第１和第２信号的第２移相器；进行上述第１信号和上述第２信号之间的加法运算的加法器；进行上述第１信号和上述第２信号之间的减法运算的减法器；对上述减法器的输出信号的强度和基准强度进行比较的信号强度检测器；根据上述减法器的输出信号的强度和上述基准强度之间的比较结果，使上述第１和第２混频电路中的任何一方，或使上述第１和第２混频电路中的任何一方和上述第１移相器停止动作的电源控制电路。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：滨田基嗣，石黑仁挥，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]