【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超高速率长波长光通信系统光接收/前放组件中的一个关键微电子器件——共面波导(CPWCoplanar Wave-guide);具体地说,涉及一种在半绝缘半导体基片上、与光通信用超高速率(28Gb/s--40Gb/s)侧面进光的波导型光探测器管芯兼容的准CPW。
技术介绍
光通信技术的发展趋势是,信号传输速率越来越高、传输容量越来越大。在2001年美国OFC国际会议上,开始出现了40Gb/s光通信系统和光电子器件的报道,它代表了当今光通信技术发展的最高水平。这种40Gb/s光通信系统将在未来SDH核心网中将有广泛的应用。40Gb/s光通信设备中关键部件为40Gb/s光发送模块和40Gb/s光接收模块。而在40Gb/s光接收模块中,40Gb/s PIN型光探测器是必需的关键光电子器件。为了提高光信号响应速率并兼顾光电转换效率,40Gb/s PIN型光探测器通常采用侧面进光的波导型结构。它是一种非常精细的台面型或沟槽型三维结构。而这种器件与外界的连接,不能采用低频下传统的金丝焊接连线方式,而必须采用微波传输线耦合组装方式。这是微波传输与较低频率下信号传输 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:丁国庆,刘兴瑶,
申请(专利权)人:武汉电信器件有限公司,
类型:发明
国别省市:
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