半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术的各个实施例将提供一种半导体器件及其制造方法，更具体地，提供一种包括具有气隙的隔离层以使由氧化物引起的对衬底的应力最小化并改善器件的性能的半导体器件及其制造方法。根据本发明专利技术实施例的半导体器件包括：多个隔离层，每个隔离层包括形成在衬底中的沟槽和在沟槽的下部中的气隙；有源区，所述有源区包括在连续设置的隔离层之间设置的鳍体以及形成在鳍体上的鳍，所述鳍具有比鳍体窄的宽度并且在第一方向上延伸；栅极结构，所述栅极结构部分地覆盖有源区和隔离层，并且在第二方向上延伸；以及源极/漏极区，所述源极/漏极区覆盖栅极结构的两侧的鳍。极区覆盖栅极结构的两侧的鳍。极区覆盖栅极结构的两侧的鳍。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年2月4日提交的申请号为10
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2021
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0016266的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。


[0003]本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法。更具体地，本专利技术涉及一种包括隔离层的半导体器件及其制造方法，该隔离层包括气隙和由不同材料制成的鳍结构。

技术介绍

[0004]随着半导体器件的集成化，栅极的长度以及形成在栅极下方的通道的长度变短。因此，正在做出各种努力以改进半导体器件的结构和制造方法，从而提高晶体管的运行稳定性和可靠性，这是确定集成电路的性能的重要因素。

技术实现思路

[0005]本公开的各种实施例将提供一种能够使由氧化物引起的对衬底的应力最小化的半导体器件。半导体器件可以包括具有气隙的隔离层。半导体器件可以表现出改善的性能，包括改善的操作稳定性和可靠性。
[0006]根据本专利技术的一个实施例，一种半导体器件包括：多个隔离层，每个隔离层包括形成在衬底中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：多个隔离层，每个所述隔离层包括形成在衬底中的沟槽和在所述沟槽的下部中的气隙；有源区，所述有源区包括在连续设置的所述隔离层之间设置的鳍体以及形成在所述鳍体上的鳍，所述鳍具有比所述鳍体窄的宽度并且在第一方向上延伸；栅极结构，所述栅极结构部分地覆盖所述有源区和所述隔离层并且在第二方向上延伸；以及源极/漏极区，所述源极/漏极区覆盖所述栅极结构的两侧的所述鳍。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每个所述隔离层还包括在所述气隙上的覆盖层。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述覆盖层包括具有不良阶梯覆盖的氧化硅。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述覆盖层是未掺杂的硅酸盐玻璃氧化物、原硅酸四乙酯氧化物或高密度等离子体氧化物中的一种。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每个所述隔离层的宽度比所述鳍体的宽度窄。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述鳍体的上表面与每个所述隔离层的上表面在同一水平上。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述鳍的上表面处于比所述隔离层的上表面高的水平。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述鳍体和所述鳍由不同的材料制成。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述鳍/所述鳍体的叠置结构为半导体材料的叠置结构SiGe/Si、Ge/Si、高浓度SiGe/低浓度SiGe、GeSn/Ge和Sn/Ge之中的一种。10.根据权利要求1所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹荣广，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：