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本发明的各个实施例将提供一种半导体器件及其制造方法，更具体地，提供一种包括具有气隙的隔离层以使由氧化物引起的对衬底的应力最小化并改善器件的性能的半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例的半导体器件包括：多个隔离层，每个隔离层包括形成在衬底中...
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