EUV光刻用表膜及其制造方法技术

本申请涉及EUV光刻用表膜及其制造方法。公开了一种极紫外EUV光刻用表膜及其制造方法。EUV光刻用表膜包括具有多个通孔的表膜膜片。表膜膜片包括芯层和覆盖并保护芯层的保护层。框架支撑表膜膜片。框架支撑表膜膜片。框架支撑表膜膜片。

【技术实现步骤摘要】
EUV光刻用表膜及其制造方法


[0001]本公开总体上涉及光刻技术，更具体地，涉及极紫外(EUV)光刻用表膜及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着光刻技术的发展，半导体集成电路正变得高度集成。为了实现更精细的线宽，使用约13.5nm波段的EUV光作为曝光用光的EUV光刻技术正受到关注。EUV光刻技术采用对EUV曝光用光进行反射的反射光掩模。反射光掩模可能被颗粒或外来物质污染，从而已经尝试了为反射光掩模附接表膜。
[0003]为了将表膜应用于EUV光刻中使用的反射光掩模，对表膜的机械和化学耐久性、氢等离子体耐受性和耐热性的要求相对较高。另外，表膜需要相对高的EUV光透光率。

技术实现思路

[0004]本公开的实施方式可以提供一种极紫外(EUV)光刻用表膜，其包括：表膜膜片，其包括芯层、覆盖芯层的第一表面的第一保护层、以及形成为贯穿第一保护层的通孔；以及框架，其被配置为支撑表膜膜片。
[0005]本公开的另一实施方式可以提供一种EUV光刻用表膜，其包括：表膜膜片，其包括芯层和保护层，保护层覆盖并保护芯层，其中，通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种极紫外EUV光刻用表膜，该EUV光刻用表膜包括：表膜膜片，该表膜膜片包括芯层和保护层，所述保护层覆盖并保护所述芯层，其中，通孔被形成为贯穿所述芯层和所述保护层；以及框架，该框架支撑所述表膜膜片。2.根据权利要求1所述的EUV光刻用表膜，其中，所述保护层延伸以覆盖所述通孔的内侧。3.根据权利要求1所述的EUV光刻用表膜，其中，所述表膜膜片包括：第一场区和第二场区，该第一场区和该第二场区彼此间隔开，在所述第一场区和所述第二场区中布置有通孔；以及划片线区，该划片线区位于所述第一场区与所述第二场区之间，在该划片线区中不布置所述通孔。4.根据权利要求3所述的EUV光刻用表膜，其中，所述划片线区具有几μm至几百μm的宽度。5.根据权利要求1所述的EUV光刻用表膜，其中，每个所述通孔具有5nm至200nm的直径。6.根据权利要求1所述的EUV光刻用表膜，其中，所述通孔被布置为彼此间隔开19nm至60nm。7.根据权利要求1所述的EUV光刻用表膜，其中，所述通孔在平面上布置为蜂窝形状、棋盘图案形状、正方形形状或菱形形状。8.根据权利要求1所述的EUV光刻用表膜，其中，所述保护层包括与所述芯层不同的材料。9.根据权利要求1所述的EUV光刻用表膜，其中，所述芯层包括硅Si、硅碳化物SiC、硅碳氧化物SiCO、硅碳氮化物SiCN、硅碳氮氧化物SiCON、非晶碳C、石墨烯、碳纳米管CNT、钼Mo硅化物、硼碳化物B4C和锆Zr中的一种。10.根据权利要求1所述的EUV光刻用表膜，其中，所述保护层包括硅氮化物SiN、硅氮氧化物SiON、硅氧化物SiO2、钼硅氧化物MoSi2O、钼硅氮化物MoSi2N、钼硅氮氧化物MoSiON、钌Ru和钼Mo中的一种。11.一种极紫外EUV光刻用表膜，该EUV光刻用表膜包括：表膜膜片，该表膜膜片包括芯层、覆盖所述芯层的第一表面的第一保护层、以及形成为贯穿所述第一保护层的通孔；以及框架，该框架支撑所述表膜膜片。12.根据权利要求11所述的EUV光刻用表膜，其中，所述表膜膜片进一步包括第二保护层，该第二保护层覆盖所述芯层的位于所述第一表面的相对侧的第二表面，并且其中，所述通孔延伸以进一步贯穿所述第二保护层。13.一种制造极紫外EUV光刻用表膜的方法，该方法包括以下步骤：在框架层上形成芯层；形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：河泰中，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：