反射型掩模基板及制备方法、反射型掩模版及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种反射型掩模基板及制备方法、反射型掩模版及制备方法。该反射型掩模基板和反射型掩模版中，利用反射堆叠层内的离子注入区界定出相移区的相移图案，消除了以传统方式形成相移图案时产生的凸起的相移膜层结构，有效解决了因凸起的相移膜层结构引起的阴影效应而导致图案偏移的问题。并且，本发明专利技术提供的反射型掩模版的制备方法，其相应的利用离子注入的方式形成具有相移图案的离子注入区，不仅可以实现工艺简化，并且工艺精度更高，有利于提高最终界定出的相移掩模图案的图形精度。精度。精度。

【技术实现步骤摘要】
反射型掩模基板及制备方法、反射型掩模版及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种反射型掩模版及其制备方法、反射型掩模基板及制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造技术中，光刻工艺是实现图形转移的重要一环，而随着图形细微化的发展趋势，对光刻技术提出了更高的要求，例如，极紫外光刻（extreme ultraviolet lithography，EUVL）等新一代光刻技术被提出。其中，极紫外光刻技术具体是采用波长为1nm至约100nm（例如，13.5nm）的极紫外光进行曝光，而由于大部分物质对极紫外光具有较高吸光性，因此无法采用以往的透射型掩模版，进而将反射型掩模版用作EUV曝光用掩模。
[0003]现有技术中的一种反射型掩模版通常包括衬底、设置在衬底上的反射层以及形成在反射层上的吸收层。其中，反射层用于反射曝光用光；吸收层可吸收曝光用光，并在掩模版的图案区内被图形化而定义出集成电路制造所需的规定图案（即，掩模图案）。在利用反射型掩模版执行曝光过程中，需要使入射光路的光轴倾斜的入射至掩模版上，并将掩模版反射出的反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反射型掩模基板，其特征在于，包括：衬底、形成在所述衬底上的反射堆叠层以及吸收层；其中，所述反射堆叠层内还形成有离子注入区，所述离子注入区用于使其所在区域的反射光相对于非注入区所在区域的反射光存在相位差。2.如权利要求1所述的反射型掩模基板，其特征在于，所述反射堆叠层中设置有至少两种离子注入区，所述至少两种离子注入区用于产生不同相位移量的反射光；和/或，所述至少两种离子注入区具有不同的光反射率。3.如权利要求2所述的反射型掩模基板，其特征在于，所述至少两种离子注入区之间的注入深度、离子种类和离子剂量中的至少一个参数不同。4.如权利要求1所述的反射型掩模基板，其特征在于，所述离子注入区的光反射率低于非注入区的光反射率。5.如权利要求1所述的反射型掩模基板，其特征在于，所述离子注入区中的注入离子包括铝、镍、钨、铬、钽、硅和铪中的一种或其组合；和/或，所述离子注入区中的注入离子包括氧、氮、碳和氟中的一种或其组合。6.一种反射型掩模版，其特征在于，包括：衬底、形成在所述衬底上的反射堆叠层以及吸收层，在所述吸收层中形成有掩模图案；其中，所述反射堆叠层内还形成有离子注入区，所述离子注入区用于使其所在区域的反射光相对于非注入区所在区域的反射光存在相位差。7.如权利要求6所述的反射型掩模版，其特征在于，所述反射堆叠层中设置有至少两种离子注入区，所述至少两种离子注入区用于产生不同相位移量的反射光；和/或，所述至少两种离子注入区具有不同的光反射率。8.如权利要求7所述的反射型掩模版，其特征在于，所述至少两种离子注入区之间的注入深度、离子种类和离子剂量中的至少一个参数不同。9.如权利要求7所述的反射型掩模版，其特征在于，所述至少两种离子注入区包括第一离子注入区和第二离子注入区，所述第二离子注入区的深度大于所述第一离子注入区的深度，并且所述第二离子注入区内注入的离子质量更小于所述第一离子注入区内注入的离子质量。10.如权利要求6所述的反射型掩模版，其特征在于，所述离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：季明华，黄早红，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：