清扫用于防止沉积和晶片滑动的主轴臂制造技术

一种系统包含多个主轴臂，其位于处理室中的多个站上方，以在所述站之间运送半导体衬底。在所述半导体衬底的处理期间，所述主轴臂驻留在所述处理室中。所述系统包括第一气体管线，其被设置在所述站下方，以供应清扫气体。所述系统包括第二气体管线，其从所述第一气体管线向上延伸，以在所述处理室中所述半导体衬底的处理期间将所述清扫气体供应至所述主轴臂。的处理期间将所述清扫气体供应至所述主轴臂。的处理期间将所述清扫气体供应至所述主轴臂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清扫用于防止沉积和晶片滑动的主轴臂
相关申请的交叉引用
[0001]本公开是于2019年12月17日申请的美国专利申请No.62/949,205的PCT国际专利申请。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。


[0002]本专利技术总体上涉及衬底处理系统，更具体而言，涉及用于防止衬底处理系统的处理室中的主轴臂上的沉积的清扫系统。

技术介绍

[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]衬底处理系统通常包括多个处理室(也称为处理模块)，其用于执行衬底(如半导体晶片)的沉积、蚀刻、及其他处理。可以在衬底上执行的处理的示例包括(但不限于)等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理、化学增强等离子体气相沉积(CEPVD)处理、以及溅射物理气相沉积(PVD)处理。可以在衬底上执行的处理的其他示例包括(但不限于)蚀刻(例如化学蚀刻、等离子体蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种系统，其包含：多个主轴臂，其位于处理室中的多个站上方，以在所述站之间运送半导体衬底，其中，在处理所述半导体衬底时，所述主轴臂驻留在所述处理室中；第一气体管线，其被设置在所述站下方，以供应清扫气体；以及第二气体管线，其从所述第一气体管线向上延伸，以在所述处理室中处理所述半导体衬底时将所述清扫气体供应至所述主轴臂。2.根据权利要求1所述的系统，其还包含设置于所述站中的每一者的顶部附近的通道，所述通道与所述第二气体管线中的一者流体连通，且包含用于将所述清扫气体供应至所述主轴臂中的一者的出口。3.根据权利要求2所述的系统，其还包含连接组件，其将所述通道连接至所述第二气体管线中的所述一者。4.根据权利要求3所述的系统，其中所述连接组件包含孔口，以控制所述清扫气体流入所述通道的流量。5.根据权利要求1所述的系统，其还包含设置于所述站中的每一个的顶部附近的通道，所述通道与所述第二气体管线中的一者流体连通，且在所述通道的每一端附近包含出口，以将所述清扫气体供应至所述主轴臂中的位于所述通道两侧的两者。6.根据权利要求2所述的系统，其还包含衬里，其衬在所述站中的每一个的所述顶部，所述衬里包含所述通道。7.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二气体管线被设置于所述站的周围。8.根据权利要求1所述的系统，其还包含经由调节器而将所述清扫气体供应至所述第一气体管线的源，所述调节器调节所述清扫气体流至所述第一气体管线的流率。9.根据权利要求1所述的系统，其还包含控制器，其用于：控制在所述半导体衬底上进行的处理；在所述处理的期间控制所述主轴臂，以在所述站之间转移所述半导体衬底；并且控制所述清扫气体被供应至所述第一气体管线的流率。10.根据权利要求1所述的系统，其还包含位于所述处理室的中心处的主轴，以使所述主轴臂横向跨越围绕所述中心设置的所述站而移动。11.一种系统，其包含：多个气体管线，其在N个站的基部部分周围沿平面设置，所述N个站围绕用于处理半导体衬底的处理室的中心而设置，其中N为大于2的整数；N个衬里，其分别衬在所述N个站的顶部的周边，所述N个衬里中的每一个从所述周边向外平行于所述平面地延伸，且包含与所述多个气体管线流体连通的通道，所述通道沿着所述周边而设置、在邻近所述处理室的中心处具有封闭的第一端和第二端、并且在所述第一端和第二端中的每一者处包含出口，以从所述周边横向地分配气体；N个主轴臂，其用于在所述N个站之间转移所述半导体衬底，所述N个主轴臂中的每一者从所述处理室的中心处的主轴平行于所述平面地横向延伸、设置在所述N个衬里中的相邻两者之间、并且包含在传送操作期间接触所述半导体衬底的区域，所述区域邻近于所述N个衬里中的所述相邻两者的所述通...

【专利技术属性】
技术研发人员：普拉桑纳，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：