半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上的分立的鳍部，衬底上形成有横跨鳍部的栅极结构，栅极结构的顶部形成有第一硬掩模层，第一硬掩模层上形成有第二硬掩膜层，第一硬掩模层的材料硬度小于第二硬掩模层的材料硬度，基底上还形成有覆盖第二硬掩模层的层间介质材料层；去除第一部分厚度的层间介质材料层，露出第二硬掩模层，并且剩余层间介质材料层覆盖第一硬掩模层的侧壁；去除部分厚度的第二硬掩膜层；去除部分厚度的第二硬掩模层后，同时去除第二部分厚度的层间介质材料层、剩余的第二硬掩模层和第一硬掩模层，剩余的层间介质材料层作为层间介质层，层间介质层覆盖栅极结构的部分侧壁或整个侧壁。个侧壁。个侧壁。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造技术的不断发展，人们对集成电路的集成度和性能的要求变得越来越高。在鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的应用中，栅极高度是非常关键的参数，直接影响阈值电压。层间介质层结构对于栅极高度的控制有着决定性的作用，因此层间介质层结构需要稳健的工艺形成。层间介质层形成凹槽的工艺有助于控制把整片硅晶片的栅极高度控制在相同高度。
[0003]目前，对层间介质层进行形成凹槽的工艺时，会影响栅极结构上的其他膜层，进而会导致栅极结构上的其他膜层产生脱落缺陷(Peeling Defect)。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，提高半导体结构的性能。
[0005]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底以及位于所述衬底上的分立的鳍部，所述衬底上形成有横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构的顶部形成有第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括衬底以及位于所述衬底上的分立的鳍部，所述衬底上形成有横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构的顶部形成有第一硬掩模层，所述第一硬掩模层上形成有第二硬掩膜层，所述第一硬掩模层的材料硬度小于所述第二硬掩模层的材料硬度，所述基底上还形成有覆盖所述第二硬掩模层的层间介质材料层；去除第一部分厚度的所述层间介质材料层，露出所述第二硬掩模层，并且剩余所述层间介质材料层覆盖所述第一硬掩模层的侧壁；去除部分厚度的所述第二硬掩膜层；去除部分厚度的所述第二硬掩模层后，同时去除第二部分厚度的所述层间介质材料层、剩余的所述第二硬掩模层和所述第一硬掩模层，剩余的所述层间介质材料层作为层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极结构的部分侧壁或整个侧壁。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除第一部分厚度的所述层间介质材料层，露出所述第二硬掩模层的步骤中，剩余所述层间介质材料层的顶部高于所述第一硬掩模层的顶部。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述栅极结构、第一硬掩模层和第二硬掩模层的侧壁上还形成有侧墙；形成所述层间介质层后，还包括：去除高于所述层间介质层顶部的所述侧墙。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述层间介质材料层的材料和所述第一硬掩模层的材料相同。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，同时去除第二部分厚度的所述层间介质材料层、剩余的所述第二硬掩模层和所述第一硬掩模层。6.如权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：渠汇，杨鹏，唐睿智，吉利，钱文明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：