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一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上的分立的鳍部，衬底上形成有横跨鳍部的栅极结构，栅极结构的顶部形成有第一硬掩模层，第一硬掩模层上形成有第二硬掩膜层，第一硬掩模层的材料硬度小于第二硬掩模层的材料硬度，基底上还...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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