灵敏放大器、存储器以及存储器的工作方法技术

一种灵敏放大器，包括：第一晶体管，第一晶体管的栅极与存储单元的第一位线连接；第二晶体管，第二晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，第二晶体管的源极与第一晶体管的源极连接；第三晶体管，第三晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，第三晶体管的源极与第二晶体管的源极连接，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的阈值电压不同；镜像单元，包括被镜像端、第一镜像端和第二镜像端，被镜像端与第一晶体管的漏极连接，第一镜像端与第二晶体管的漏极连接，第二镜像端与第三晶体管的漏极连接；检测单元，检测单元与镜像单元的第一镜像端以及镜像单元的第二镜像端连接。所述灵敏放大器电路提升了存储器的整体读写速度。大器电路提升了存储器的整体读写速度。大器电路提升了存储器的整体读写速度。

【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器、存储器以及存储器的工作方法


[0001]本专利技术涉及半导体存储器
，具体涉及一种灵敏放大器、存储器和存储器的工作方法。

技术介绍

[0002]随着手机、平板、个人计算机等电子设备的普及，半导体存储器技术也得到了快速的发展。例如动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)、静态随机存取存储器(Static Random
‑
Access Memory，简称SRAM)的存储器由于高密度、低功耗、低价格等优点，已广泛应用于各种电子设备中。
[0003]灵敏放大器(Sense Amplifier，简称SA)是半导体存储器的一个重要组成部分，其主要作用是将位线上的小信号进行放大，从而执行读取或写入操作。
[0004]随着技术的不断进步，半导体存储器的尺寸不断减小，在这种情况下，灵敏放大器中，由于晶体管的失配会对灵敏放大器的输出造成一定影响，从而影响存储器的性能。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种灵敏放大器、存储器和存储器的工作方法，以提升存储器的性能。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种灵敏放大器，包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与存储单元的第一位线连接；第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，所述第二晶体管的源极与第一晶体管的源极连接；第三晶体管，所述第三晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，所述第三晶体管的源极与第二晶体管的源极连接，所述第一晶体管的源极、第二晶体管的源极和第三晶体管的源极与接地电压节点耦接，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的阈值电压不同；镜像单元，所述镜像单元包括被镜像端、第一镜像端和第二镜像端，所述被镜像端与第一晶体管的漏极连接，所述第一镜像端与第二晶体管的漏极连接，所述第二镜像端与第三晶体管的漏极连接；检测单元，所述镜像单元的第一镜像端与检测单元连接，所述镜像单元的第二镜像端与检测单元连接。
[0007]可选的，所述镜像单元被镜像端包括：第四晶体管，所述第四晶体管的源极与电源电压节点连接，所述第四晶体管的漏极与第一晶体管的漏极连接，所述第四晶体管的栅极与第一晶体管的漏极连接。
[0008]可选的，所述镜像单元第一镜像端包括：第五晶体管，所述第五晶体管的源极与电源电压节点连接，所述第五晶体管的漏极与第二晶体管的漏极连接，所述第五晶体管的栅极与第四晶体管的栅极连接；所述检测单元与第五晶体管的漏极连接。
[0009]可选的，所述镜像单元第二镜像端包括：第六晶体管，所述第六晶体管的源极与电源电压节点连接，所述第六晶体管的漏极与第三晶体管的漏极连接，所述第六晶体管的栅极与第四晶体管的栅极以及第五晶体管的栅极连接；所述检测单元与第六晶体管的漏极连
接。
[0010]可选的，所述第四晶体管为P型晶体管；第五晶体管为P型晶体管；所述第六晶体管为P型晶体管。
[0011]可选的，所述镜像单元还包括电压输入节点，所述电压输入节点与电源电压节点连接。
[0012]可选的，所述第一晶体管的阈值电压大于第二晶体管的阈值电压；所述第三晶体管的阈值电压大于第一晶体管的阈值电压。
[0013]可选的，还包括：第一反相器和第二反相器；所述第一反相器与镜像单元第一镜像端和检测单元连接；所述第二反相器与镜像单元第二镜像端和检测单元连接。
[0014]可选的，所述第一晶体管为N型晶体管；第二晶体管为N型晶体管；所述第三晶体管为N型晶体管。
[0015]可选的，还包括：第七晶体管，所述第七晶体管的漏极与存储单元的第二位线以及第三晶体管的栅极连接，所述第七晶体管的源极与接地电压节点连接，所述第七晶体管的栅极与第三晶体管的栅极连接。
[0016]可选的，所述第七晶体管为N型晶体管。
[0017]可选的，还包括：第八晶体管，所述第八晶体管的漏极与存储单元的第二位线以及第二晶体管的栅极连接，所述第八晶体管的源极与接地电压节点连接，所述第八晶体管的栅极与第二晶体管的栅极连接。
[0018]可选的，所述第八晶体管为N型晶体管。
[0019]可选的，还包括：第九晶体管，所述第九晶体管的漏极与存储单元的第一位线以及第一晶体管的栅极连接，所述第九晶体管的源极与接地电压节点连接，所述第九晶体管的栅极与第一晶体管的栅极连接。
[0020]可选的，所述第九晶体管为N型晶体管。
[0021]可选的，还包括：第十晶体管，所述第十晶体管的漏极与第一晶体管的源极、第二晶体管的源极以及第三晶体管的源极连接，所述第十晶体管的源极与接地电压节点连接。
[0022]可选的，所述第十晶体管为N型晶体管。
[0023]相应地，本专利技术技术方案还提供一种存储器，包括：若干存储单元，所述存储单元包括第一位线和第二位线；与存储单元连接的灵敏放大器，所述灵敏放大器包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与存储单元的第一位线连接；第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，所述第二晶体管的源极与第一晶体管的源极连接；第三晶体管，所述第三晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，所述第三晶体管的源极与第二晶体管的源极连接，所述第一晶体管的源极、第二晶体管的源极和第三晶体管的源极与接地电压节点耦接，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的阈值电压不同；镜像单元，所述镜像单元包括被镜像端、第一镜像端和第二镜像端，所述被镜像端与第一晶体管的漏极连接，所述第一镜像端与第二晶体管的漏极连接，所述第二镜像端与第三晶体管的漏极连接；检测单元，所述镜像单元的第一镜像端与检测单元连接，所述镜像单元的第二镜像端与检测单元连接；与灵敏放大器连接的读取单元。
[0024]可选的，所述镜像单元被镜像端包括：第四晶体管，所述第四晶体管的源极与电源电压节点连接，所述第四晶体管的漏极与第一晶体管的漏极连接，所述第四晶体管的栅极
与第一晶体管的漏极连接。
[0025]可选的，所述镜像单元第一镜像端包括：第五晶体管，所述第五晶体管的源极与电源电压节点连接，所述第五晶体管的漏极与第二晶体管的漏极连接，所述第五晶体管的栅极与第四晶体管的栅极连接；所述检测单元与第五晶体管的漏极连接。
[0026]可选的，所述镜像单元第二镜像端包括：第六晶体管，所述第六晶体管的源极与电源电压节点连接，所述第六晶体管的漏极与第三晶体管的漏极连接，所述第六晶体管的栅极与第四晶体管的栅极以及第五晶体管的栅极连接；所述检测单元与第六晶体管的漏极连接。
[0027]可选的，所述第四晶体管为P型晶体管；第五晶体管为P型晶体管；所述第六晶体管为P型晶体管。
[0028]可选的，所述第一晶体管的阈值电压大于第二晶体管的阈值电压；所述第三晶体管的阈值电压大于第一晶体管的阈值电压。
[0029]可选的，所述灵敏放大器还包括：第一反相器和第二反相器；所述第一反相器与镜像单元第一镜像端和检测单元连接；所述第二反相器与镜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与存储单元的第一位线连接；第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，所述第二晶体管的源极与第一晶体管的源极连接；第三晶体管，所述第三晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，所述第三晶体管的源极与第二晶体管的源极连接，所述第一晶体管的源极、第二晶体管的源极和第三晶体管的源极与接地电压节点耦接，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的阈值电压不同；镜像单元，所述镜像单元包括被镜像端、第一镜像端和第二镜像端，所述被镜像端与第一晶体管的漏极连接，所述第一镜像端与第二晶体管的漏极连接，所述第二镜像端与第三晶体管的漏极连接；检测单元，所述镜像单元的第一镜像端与检测单元连接，所述镜像单元的第二镜像端与检测单元连接。2.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述镜像单元被镜像端包括：第四晶体管，所述第四晶体管的源极与电源电压节点连接，所述第四晶体管的漏极与第一晶体管的漏极连接，所述第四晶体管的栅极与第一晶体管的漏极连接。3.如权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述镜像单元第一镜像端包括：第五晶体管，所述第五晶体管的源极与电源电压节点连接，所述第五晶体管的漏极与第二晶体管的漏极连接，所述第五晶体管的栅极与第四晶体管的栅极连接；所述检测单元与第五晶体管的漏极连接。4.如权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述镜像单元第二镜像端包括：第六晶体管，所述第六晶体管的源极与电源电压节点连接，所述第六晶体管的漏极与第三晶体管的漏极连接，所述第六晶体管的栅极与第四晶体管的栅极以及第五晶体管的栅极连接；所述检测单元与第六晶体管的漏极连接。5.如权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第四晶体管为P型晶体管；第五晶体管为P型晶体管；所述第六晶体管为P型晶体管。6.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述镜像单元还包括电压输入节点，所述电压输入节点与电源电压节点连接。7.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一晶体管的阈值电压大于第二晶体管的阈值电压；所述第三晶体管的阈值电压大于第一晶体管的阈值电压。8.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，还包括：第一反相器和第二反相器；所述第一反相器与镜像单元第一镜像端和检测单元连接；所述第二反相器与镜像单元第二镜像端和检测单元连接。9.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一晶体管为N型晶体管；第二晶体管为N型晶体管；所述第三晶体管为N型晶体管。10.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，还包括：第七晶体管，所述第七晶体管的漏极与存储单元的第二位线以及第三晶体管的栅极连接，所述第七晶体管的源极与接地电压节点连接，所述第七晶体管的栅极与第三晶体管的栅极连接。11.如权利要求10所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第七晶体管为N型晶体管。12.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，还包括：第八晶体管，所述第八晶体
管的漏极与存储单元的第二位线以及第二晶体管的栅极连接，所述第八晶体管的源极与接地电压节点连接，所述第八晶体管的栅极与第二晶体管的栅极连接。13.如权利要求12所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第八晶体管为N型晶体管。14.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，还包括：第九晶体管，所述第九晶体管的漏极与存储单元的第一位线以及第一晶体管的栅极连接，所述第九晶体管的源极与接地电压节点连接，所述第九晶体管的栅极与第一晶体管的栅极连接。15.如权利要求14所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第九晶体管为N型晶体管。16.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，还包括：第十晶体管，所述第十晶体管的漏极与第一晶体管的源极、第二晶体管的源极以及第三晶体管的源极连接，所述第十晶体管的源极与接地电压节点连接。17.如权利要求16所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第十晶体管为N型晶体管。18.一种存储器，其特征在于，包括：若干存储单元，所述存储单元包括第一位线和第二位线；与存储单元连接的灵敏放大器，所述灵敏放大器包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与存储单元的第一位线连接；第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，所述第二晶体管的源极与第一晶体管的源极连接；第三晶体管，所述第三晶体管的栅极与存储单元的第二位线连接，所述第三晶体管的源极与第二晶体管的源极连接，所述第一晶体管的源极、第二晶体管的源极和第三晶体管的源极与接地电压节点耦接，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的阈值电压不同；镜像单元，所述镜像单元包括被镜像端、第一镜像端和第二镜像端，所述被镜像端与第一晶体管的漏极连接，所述第一镜像端与第二晶体管的漏极连接，所述第二镜像端与第三晶体管的漏极连接；检测单元，所述镜像单元的第一镜像端与检测单元连接，所述镜像单元的第二镜像端与检测单元连接；与灵敏放大器连接的读取单元。19.如权利要求18所述的存储器，其特征在于，所述镜像单元被镜像端包括：第四晶体管，所述第四晶体管的源极与电源电压节点连接，所述第四晶体管的漏极与第一晶体管的漏极连接，所述第四晶体管的栅极与第一晶体管的漏极连接。20.如权利要求19所述的存储器，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周永亮，刘明月，张梦迪，王韬，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：