局部空腔封装结构和声表面波滤波器制造技术

本实用新型专利技术的实施例提供了一种局部空腔封装结构和声表面波滤波器，涉及芯片封装技术领域。该局部空腔封装结构包括基板、第一芯片、第二芯片和保护膜，第一芯片和第二芯片间隔设于基板上，保护膜设有预切痕，第二芯片的外围设有穿刺件，保护膜铺设于基板上以罩设第一芯片和第二芯片；穿刺件凸设于基板上，且与预切痕对应设置。这样可以在第一芯片的底部形成封闭空腔结构，同时，穿刺件的设置有利于将第二芯片外围的保护膜刺破，从而在塑封时能让塑封体进入第二芯片底部。体进入第二芯片底部。体进入第二芯片底部。

Local cavity packaging structure and saw filter

【技术实现步骤摘要】
局部空腔封装结构和声表面波滤波器


[0001]本技术涉及芯片封装
，具体而言，涉及一种局部空腔封装结构和声表面波滤波器。

技术介绍

[0002]声表面波滤波器(saw filter)广泛应用于接收机前端、双工器和接收滤波器等。声表面波滤波器的工作原理是声波在芯片表面传输，采用压电材料的压电特性，利用输入与输出换能器(Transducer)将电波的输入信号转换成机械能，经过处理后，再把机械能转换成电的信号，以达到过滤不必要的信号及杂讯，提升收讯品质。
[0003]为保证滤波芯片具有良好的滤波功能，其滤波芯片的功能区域不能接触任何物质，需设计为空腔结构。而其它非滤波类芯片则无需形成底部空腔结构，并且若在非滤波类芯片底部形成空腔结构，容易导致产品可靠性降低。传统封装方法中，大多采用在滤波芯片背面设隔膜，隔膜用于将塑封体隔绝在滤波芯片外侧，以便在滤波芯片底部形成空腔结构。这种封装方式容易出现两种封装失效情况，第一，隔膜未被塑封体模流冲破，造成滤波芯片和非滤波芯片底部均形成空腔结构，导致产品可靠性降低。第二，隔膜容易被塑封体模流冲破导致破损，容易导致滤波芯片底部的空腔结构被塑封体模流污染，滤波功能受损。

技术实现思路

[0004]本技术的目的包括，例如，提供了一种局部空腔封装结构和声表面波滤波器，其能够提高封装质量，提升产品性能，提高结构可靠性。
[0005]本技术的实施例可以这样实现：
[0006]第一方面，本技术提供一种局部空腔封装结构，包括基板、第一芯片、第二芯片和保护膜，所述第一芯片和所述第二芯片间隔设于所述基板上，所述保护膜设有预切痕，所述第二芯片的外围设有穿刺件，所述保护膜铺设于所述基板上以罩设所述第一芯片和第二芯片；所述穿刺件凸设于所述基板上，且与所述预切痕对应设置。
[0007]在可选的实施方式中，所述穿刺件远离所述基板的一端呈锥形体，以便于刺穿所述保护膜。
[0008]在可选的实施方式中，所述锥形体设于所述预切痕的中部。
[0009]在可选的实施方式中，所述基板上设有吸附孔，所述吸附孔位于所述第一芯片和所述第二芯片的外围，用于吸附所述保护膜。
[0010]在可选的实施方式中，所述基板上设有切割道，所述吸附孔设于所述切割道上。
[0011]在可选的实施方式中，所述第二芯片的数量包括多个，多个所述第二芯片设于所述第一芯片的外围，每个所述第二芯片的外围设有所述穿刺件。
[0012]在可选的实施方式中，每个所述第一芯片的外周均匀分设四个所述第二芯片，所述穿刺件设于所述第一芯片和所述第二芯片之间，且靠近所述第二芯片设置。
[0013]在可选的实施方式中，所述第一芯片包括芯片一，所述第二芯片包括芯片二、芯片
三、芯片四和芯片五，所述芯片二、所述芯片三、所述芯片四和所述芯片五设于所述芯片一的外周，所述芯片二和所述芯片四关于所述芯片一呈中心对称，所述芯片三和所述芯片五关于所述芯片一呈中心对称。
[0014]在可选的实施方式中，所述第一芯片还包括芯片六和芯片七，所述芯片六和所述芯片七关于所述芯片一呈中心对称。
[0015]第二方面，本技术提供一种声表面波滤波器，包括上述的局部空腔封装结构。
[0016]本技术实施例的有益效果包括，例如：
[0017]本技术实施例提供的局部空腔封装结构，通过设置保护膜，可以在第一芯片的底部形成封闭空腔，确保第一芯片的功能不受影响，提高产品性能。同时，在保护膜上设置预切痕，以及设置穿刺件，穿刺件与预切痕对应设置，且设于第二芯片的外围，这样有利于在真空覆膜工艺中让穿刺件刺穿保护膜，从而便于塑封时塑封体顺利进入第二芯片的底部，使得第二芯片底部充满塑封体，结构更加可靠。
[0018]本技术实施例提供的声表面波滤波器，制作工艺简单，工艺条件不苛刻，可操作性强，结构可靠，并且有利于提高封装质量，提高产品性能以及结构可靠性。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0020]图1为本技术实施例提供的局部空腔封装结构的一种结构示意图；
[0021]图2为本技术实施例提供的局部空腔封装结构的保护膜的设置示意图；
[0022]图3为本技术实施例提供的局部空腔封装结构的另一种结构示意图；
[0023]图4为本技术实施例提供的局部空腔封装结构的基板的另一种结构示意图；
[0024]图5为本技术实施例提供的局部空腔封装结构的一种芯片分布结构示意图；
[0025]图6为本技术实施例提供的局部空腔封装结构的制作方法的步骤框图；
[0026]图7为本技术实施例提供的局部空腔封装结构的制程示意图。
[0027]图标：100
‑
局部空腔封装结构；110
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基板；111
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第一焊盘；113
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第二焊盘；115
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绿漆层；117
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吸附孔；120
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第一芯片；121
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封闭空腔；123
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芯片一；125
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芯片六；127
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芯片七；130
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第二芯片；131
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芯片二；133
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芯片三；135
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芯片四；137
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芯片五；140
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保护膜；141
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预切痕；150
‑
穿刺件；160
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塑封体。
具体实施方式
[0028]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0029]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的
实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0031]在本技术的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种局部空腔封装结构，其特征在于，包括基板、第一芯片、第二芯片和保护膜，所述第一芯片和所述第二芯片间隔设于所述基板上，所述保护膜设有预切痕，所述第二芯片的外围设有穿刺件，所述保护膜铺设于所述基板上以罩设所述第一芯片和第二芯片；所述穿刺件凸设于所述基板上，且与所述预切痕对应设置。2.根据权利要求1所述的局部空腔封装结构，其特征在于，所述穿刺件远离所述基板的一端呈锥形体，以便于刺穿所述保护膜。3.根据权利要求2所述的局部空腔封装结构，其特征在于，所述锥形体设于所述预切痕的中部。4.根据权利要求1所述的局部空腔封装结构，其特征在于，所述基板上设有吸附孔，所述吸附孔位于所述第一芯片和所述第二芯片的外围，用于吸附所述保护膜。5.根据权利要求4所述的局部空腔封装结构，其特征在于，所述基板上设有切割道，所述吸附孔设于所述切割道上。6.根据权利要求1所述的局部空腔封装结构，其特征在于，所述第二芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：白胜清，陈泽，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：新型
国别省市：