一种半导体结构及其处理方法技术

本发明专利技术公开一种半导体结构及其处理方法，涉及半导体结构制备技术领域，以解决由于半导体图案的深宽比增加，在湿法清洗时，具有大深宽比的图案会发生塌陷或者倾斜的现象。一种半导体结构，包括基底以及形成于所述基底上的图案化结构。一种半导体结构的处理方法包括：提供衬底；使用第一工艺气体对所述基底上的图案化结构进行等离子体处理，使得所述基底上的图案化结构的亲水性降低；对所述进行等离子体处理后的基底上的图案化结构进行湿法清洗。本发明专利技术提供的半导体结构的处理方法用于制备半导体结构。体结构。体结构。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其处理方法


[0001]本专利技术涉及半导体结构制备
，尤其涉及一种半导体结构及其处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中，随着半导体器件的小型化和集成化，使得半导体器件图形的深宽比增加。基于此，在半导体器件的制造过程中，当使用包含有去离子水的湿法化学液清洗时，会使大深宽比的图形结构的侧墙表面上产生亲水性的羟基。由于亲水性羟基的存在，高深宽比图形在液体表面张力的作用下，容易发生倾斜或者塌陷。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其处理方法，用于避免图案化后的半导体结构的侧墙受到表面张力的作用，发生倾斜或者塌陷。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体结构，包括基底以及形成于所述基底上的图案化结构。所述图案化结构至少包括图案化的碳掺杂氧化硅层，所述图案化的碳掺杂氧化硅层具有Si
‑
CH
x
键，其中，0≤x≤3。
[0005]与现有技术相比，本专利技术提供的半导体结构中，使用碳掺杂的氧化硅层作为硬掩模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括基底，以及形成于所述基底上的图案化结构；所述图案化结构至少包括图案化的碳掺杂氧化硅层，所述图案化的碳掺杂氧化硅层具有Si
‑
CH
x
键，其中，0≤x≤3。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述图案化结构还包括：第一图案化硬掩模层；所述第一图案化硬掩模层形成在所述图案化碳掺杂氧化硅层上，或形成在所述图像化碳掺杂氧化硅层与基底之间。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一图案化硬掩模层的材质为多晶硅、非晶硅或金属基材料。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括形成在所述图案化结构上的第二图案化硬掩模层；所述第二图案化硬掩模层为旋涂碳层或旋涂硬掩模层。5.根据权利要求1～4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括氧化物层，所述氧化物层形成在所述图案化的碳掺杂氧化硅层上，或形成在所述基底与所述图案化的碳掺杂氧化硅层下。6.一种半导体结构的处理方法，其特征在于，包括：提供衬底；所述衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：金一球，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：