一种肖特基二极管制造技术

技术编号:34221151 阅读:22 留言:0更新日期:2022-07-20 19:23
本实用新型专利技术公开了一种肖特基二极管,包括肖特基二极管本体,所述肖特基二极管本体包括上壳和下壳,所述上壳通过螺栓固定安装于下壳的上端,所述上壳上通过螺栓固定安装有散热板,所述散热板的下端固定连接有散热翅片,所述上壳上开设有散热孔,所述散热翅片的端部穿过散热孔位于肖特基二极管本体的内部,本实用新型专利技术安装固定结构简单,方便组装,且提高了肖特基二极管的散热能力,使其内部的电子元件在优越的环境下稳定运行,相对提高了肖特基二极管的使用寿命,提高了肖特基二极管的防水性,降低了外界水分进入肖特基二极管内部的可能性,降低了设备短路甚至损坏的风险。降低了设备短路甚至损坏的风险。降低了设备短路甚至损坏的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种肖特基二极管


[0001]本技术涉及肖特基二极管
,具体为一种肖特基二极管。

技术介绍

[0002]肖特基二极管(SBD)是肖特基势垒二极管,肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件,它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN 结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管,肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N

外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H

层要高1倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。
[0003]现有技术中的肖特基二极管安装固定结构复杂,组装不便,且二极管的散热能力不佳,其内部电子元件长期高温环境下运行,会降低二极管的使用寿命,而且现有的二极管防水性较差,外界的水汽会从散热孔或是连接处的间隙进入二极管的内部,可能会造成设备短路甚至损坏,因此我们需要提出一种肖特基二极管。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种肖特基二极管,安装固定结构简单,方便组装,且提高了肖特基二极管的散热能力,使其内部的电子元件在优越的环境下稳定运行,相对提高了肖特基二极管的使用寿命,提高了肖特基二极管的防水性,降低了外界水分进入肖特基二极管内部的可能性,降低了设备短路甚至损坏的风险,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种肖特基二极管,包括肖特基二极管本体,所述肖特基二极管本体包括上壳和下壳,所述上壳通过螺栓固定安装于下壳的上端,所述上壳上通过螺栓固定安装有散热板,所述散热板的下端固定连接有散热翅片,所述上壳上开设有散热孔,所述散热翅片的端部穿过散热孔位于肖特基二极管本体的内部,所述散热板的下端边部固定安装有密封圈,所述上壳的边部开设有密封槽,所述密封圈卡接于密封槽的内部,所述肖特基二极管本体的一侧卡接固定有连接块,所述连接块上安装有引脚,所述上壳上开设有第一卡槽,所述下壳上开设有第二卡槽,所述连接块上开设有缺槽,所述第一卡槽和第二卡槽组成的空间卡接于缺槽的内部,所述第一卡槽和第二卡槽设置为尺寸相等、方向相反的U形槽,所述缺槽的宽度与上壳和下壳的厚度相等。
[0006]优选的,所述散热翅片呈等间距设置有六组,所述散热翅片上开设有通孔。
[0007]优选的,所述散热板上固定安装有六组散热条,所述散热条和散热翅片对齐设置,所述散热条的上端设置为半圆弧状。
[0008]优选的,所述散热板的侧部固定安装有连接板,所述连接板上开设有安装孔,所述
上壳的侧部开设有螺纹孔,所述螺栓的端部穿过安装孔螺纹安装于螺纹孔的内部。
[0009]优选的,所述上壳的内壁开设有凹槽,所述凹槽的内部设置有干燥片,所述上壳的内壁固定安装有防尘网,所述防尘网覆盖在凹槽的一侧。
[0010]优选的,所述上壳上固定安装有多组插柱,所述下壳上开设有多组插槽,所述插柱插接于插槽的内部。
[0011]优选的,所述密封圈设置为橡胶密封圈,所述密封圈的宽度等于密封槽的宽度。
[0012]优选的,所述上壳设置为阶梯状的上壳,所述上壳上开设有一组第一贯穿孔和四组第二贯穿孔。
[0013]与现有技术相比,本技术的有益效果是:
[0014]1、通过散热板、散热翅片、通孔和散热条的设计,连接块卡接于第一卡槽和第二卡槽组成的空间的内部,散热板下端的散热翅片插进散热孔的内部,散热翅片设置为铜片,铜的导热性更好,散热翅片上开设有通孔,便于热量在六组散热翅片之间传递,提高散热效率,散热条的上端设置为半圆弧状,在一定程度上提高了散热条的表面积,进一步提高了散热效果,肖特基二极管本体内部的电子元件运行过程中会产生热量,热量会传递至散热翅片上,然后再从散热翅片传递至散热板上以及散热条上,并进入外界的空气中,加快了肖特基二极管的散热,本技术安装固定结构简单,方便组装,且提高了肖特基二极管的散热能力,使其内部的电子元件在优越的环境下稳定运行,相对提高了肖特基二极管的使用寿命;
[0015]2、通过密封圈、密封槽、凹槽的设计,密封圈设置为橡胶密封圈,密封圈的宽度等于密封槽的宽度,密封圈卡接于密封槽的内部,减少水汽进入肖特基二极管本体的内部,干燥片可吸收肖特基二极管本体内部的湿气,使肖特基二极管本体内部的保持干燥,本技术提高了肖特基二极管的防水性,降低了外界水分进入肖特基二极管内部的可能性,降低了设备短路甚至损坏的风险。
附图说明
[0016]图1为本技术肖特基二极管本体的结构示意图;
[0017]图2为本技术上壳的内部结构示意图;
[0018]图3为本技术散热板、散热翅片、散热条、连接板和安装孔的结构示意图;
[0019]图4为本技术散热板、散热翅片、密封圈和通孔的结构示意图。
[0020]图中:100、肖特基二极管本体;1、上壳;2、下壳;3、螺纹孔;4、第一卡槽;5、第二卡槽;6、连接块;7、缺槽;8、引脚;9、密封槽;10、散热孔;11、插柱;12、凹槽;13、防尘网;14、散热板;15、散热翅片;16、散热条;17、连接板;18、安装孔;19、密封圈;20、通孔。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0022]在不同附图中以相同标号来标示相同或类似组件;另外请了解文中诸如“第一”、

第二”、“第三”、“上”、“下”、“前”、“后”、“内”、“外”、“端”、“部”、“段”、“宽度”、“厚度”、“区”等等及类似用语仅便于看图者参考图中构造以及仅用于帮助描述本技术而已,并非是对本技术的限定。
[0023]请参阅图1

4,本技术提供一种技术方案:一种肖特基二极管,包括肖特基二极管本体100,肖特基二极管本体100包括上壳1和下壳2,上壳1 设置为阶梯状的上壳,上壳1上开设有一组第一贯穿孔和四组第二贯穿孔,便于组装上壳1和下壳2,上壳1通过螺栓固定安装于下壳2的上端,上壳1 上固定安装有多组插柱11,下壳2上开设有多组插槽,插柱11插接于插槽的内部,可使上壳1和下壳2对齐,提高安装效率,上壳1上通过螺栓固定安装有散热板14,散热板14的尺寸和上壳1高台部分的尺寸相等;
[0024]散热板14的侧部固定安装有连接板17,连接板17呈阵列设置有四组,连接板17上开设有安装孔18,上壳1的侧部开设本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管,包括肖特基二极管本体(100),其特征在于:所述肖特基二极管本体(100)包括上壳(1)和下壳(2),所述上壳(1)通过螺栓固定安装于下壳(2)的上端,所述上壳(1)上通过螺栓固定安装有散热板(14),所述散热板(14)的下端固定连接有散热翅片(15),所述上壳(1)上开设有散热孔(10),所述散热翅片(15)的端部穿过散热孔(10)位于肖特基二极管本体(100)的内部,所述散热板(14)的下端边部固定安装有密封圈(19),所述上壳(1)的边部开设有密封槽(9),所述密封圈(19)卡接于密封槽(9)的内部,所述肖特基二极管本体(100)的一侧卡接固定有连接块(6),所述连接块(6)上安装有引脚(8),所述上壳(1)上开设有第一卡槽(4),所述下壳(2)上开设有第二卡槽(5),所述连接块(6)上开设有缺槽(7),所述第一卡槽(4)和第二卡槽(5)组成的空间卡接于缺槽(7)的内部,所述第一卡槽(4)和第二卡槽(5)设置为尺寸相等、方向相反的U形槽,所述缺槽(7)的宽度与上壳(1)和下壳(2)的厚度相等。2.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管,其特征在于:所述散热翅片(15)呈等间距设置有六组,所述散热翅片(15)上开设有通孔(20)。3.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:李小刚李鹏
申请(专利权)人:深圳市桦沣实业有限公司
类型:新型
国别省市:

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