JBS二极管结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种JBS二极管结构及其制造方法，所述JBS二极管结构包括：阴极背面金属层，N型衬底层，N型外延层，P型扩散层，金属接触层和金属阳极层；阴极背面金属层，N型衬底层和N型外延层自下而上依次设置；N型外延层远离N型衬底层的上表面内嵌有多个沟槽区域；多个沟槽区域沿第一方向分布；沟槽区域在第一方向的宽度沿第二方向连续增大；P型扩散层设置在多个沟槽区域的内壁；金属接触层位于N型外延层表面和P型扩散层表面；金属接触层与N型外延层形成肖特基接触；金属接触层与P型扩散层形成欧姆接触；金属阳极层覆盖在金属接触层远离N型衬底层的表面。本发明专利技术提供的JBS二极管可以在提高JBS二极管的关断速度的同时降低高温漏电流。电流。电流。

【技术实现步骤摘要】
JBS二极管结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种JBS二极管结构和制造方法。

技术介绍

[0002]JBS(Junction Barrier Schottky，结势垒肖特基)二极管是一种兼具了PIN二极管和肖特基二极管优点的器件，其正向特性类似于肖特基二极管，具有小开启电压、大导通电流、快开关速度的优点；而反向特性则更像PIN二极管，具有低漏电流、高击穿电压的优点，被广泛应用于大功率高压环境中。
[0003]现有技术中，为了提高JBS二极管的关断速度，使其能够适用于更高频率的场合，通常采用的技术为增加肖特基区域宽度。
[0004]然而，现有技术中提高JBS二极管的关断速度的方式还存在以下缺陷：在增加肖特基区域的宽度后，P型扩散层宽度也会随之变窄，JBS二极管的高温漏电流也会增大，进而影响JBS二极管长期使用的可靠性。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，本专利技术实施例的目的在于提供一种JBS二极管结构和一种JBS二极管结构的制造方法，以解决现有技术中提高JBS二极管的关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种JBS二极管结构，其特征在于，包括：阴极背面金属层，N型衬底层，N型外延层，P型扩散层，金属接触层和金属阳极层；所述阴极背面金属层，所述N型衬底层和所述N型外延层自下而上依次设置；所述N型外延层远离所述N型衬底层的上表面内嵌有多个沟槽区域；多个所述沟槽区域沿第一方向分布；所述第一方向为垂直于所述N型外延层厚度的方向；所述沟槽区域在所述第一方向的宽度沿第二方向连续增大，所述第二方向为所述N型外延层指向所述N型衬底层的方向；所述P型扩散层设置在多个所述沟槽区域的内壁；所述金属接触层位于所述N型外延层表面和所述P型扩散层表面；所述金属接触层与所述N型外延层形成肖特基接触；所述金属接触层与所述P型扩散层形成欧姆接触；所述金属阳极层覆盖在所述金属接触层远离所述N型衬底层的表面。2.根据权利要求1所述的JBS二极管结构，其特征在于，所述沟槽区域在所述第一方向的宽度沿所述第二方向线性增大。3.根据权利要求1所述的JBS二极管结构，其特征在于，所述沟槽区域的顶部在所述第一方向的第一宽度的范围为3um至10um；所述沟槽区域的顶部远离所述N型衬底层。4.根据权利要求3所述的JBS二极管结构，其特征在于，所述沟槽区域的底部在所述第一方向的第二宽度与所述第一宽度的差值范围为6um至10um。5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹群，郭小青，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：