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本发明提供了一种JBS二极管结构及其制造方法，所述JBS二极管结构包括：阴极背面金属层，N型衬底层，N型外延层，P型扩散层，金属接触层和金属阳极层；阴极背面金属层，N型衬底层和N型外延层自下而上依次设置；N型外延层远离N型衬底层的上表面内嵌...
该专利属于比亚迪半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪半导体股份有限公司授权不得商用。

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