本发明专利技术涉及谐振器以及具备该谐振器的谐振装置。谐振器(10)具备：振动部(120)，具有以彼此相反的相位振动的两个部分(121A、121B)；保持部(140)，形成为将振动部(120)的至少一部分包围；以及保持单元(110)，对两个部分(121A、121B)的边界进行支承，并且将振动部(120)与保持部(140)连接，在振动部(120)的表面中的、保持单元(110)的与振动部(120)连接的连接部分(111B、112B)和沿着两个部分(121A、121B)的边界与连接部分(111B、112B)对置的端部之间的区域设置有频率调整膜(E3)。域设置有频率调整膜(E3)。域设置有频率调整膜(E3)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谐振器以及具备该谐振器的谐振装置
[0001]本专利技术涉及谐振器以及具备该谐振器的谐振装置。
技术介绍
[0002]谐振装置在移动通信终端、通信基站、家电等各种电子设备中，用于定时设备、传感器、振荡器等用途。谐振装置例如是MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微电子机械系统)的一种。这样的谐振装置例如具备下盖、在与下盖之间形成内部空间的上盖、以及具有可振动地被保持在该内部空间的振动部的谐振器。在振动部例如设置有对频率的取决于温度的变化进行修正的温度特性修正层、通过除去一部分而使频率变化的频率调整膜等。
[0003]在专利文献1中，公开了在位移大的区域形成有频率调整膜，在位移小的区域形成有保护膜的谐振器。
[0004]在专利文献2中公开了如下谐振器：在位移小的区域形成有由频率温度系数为正的第一温度特性调整膜和频率温度系数为负的第二温度特性调整膜构成的两个膜，在位移大的区域形成有频率调整膜。
[0005]专利文献1：日本专利第6241684号公报
[0006]专利文献2：国际公开第2019/058632号
[0007]然而，在专利文献1及2所记载的谐振器中实施了利用离子铣削的频率调整工序之后，存在每单位时间的频率变化量比不具备频率调整膜的谐振器小的情况。
技术实现思路
[0008]本专利技术是鉴于这样的状况而完成的，本专利技术的目的在于提供一种提高了生产率的谐振器以及具备该谐振器的谐振装置。
[0009]本专利技术的一方式所涉及的谐振器具备：振动部，具有以彼此相反的相位振动的两个部分；保持部，形成为将振动部的至少一部分包围；以及保持单元，对两个部分的边界进行支承，并且将振动部与保持部连接，在振动部的表面中的、保持单元的与振动部连接的连接部分和沿着两个部分的边界与连接部分对置的端部之间的区域设置有频率调整膜。
[0010]本专利技术的另一方式所涉及的谐振器具备：振动部，具有以彼此相反的相位振动的两个部分；和频率调整膜，设置于振动部的表面中的比振动部的两个部分各自的中心部靠近两个部分的边界的区域。
[0011]本专利技术的另一方式所涉及的谐振器具备：振动部，具有以彼此相反的相位振动的两个部分；保持部，形成为将振动部的至少一部分包围；以及保持单元，将振动部与保持部连接，振动部具有：压电膜；下部电极，设置于压电膜的一侧；两个上部电极，设置于压电膜的另一侧，且在振动部的两个部分的每一个中隔着压电膜与下部电极对置；保护膜，覆盖两个上部电极；以及频率调整膜，隔着压电膜及保护膜与下部电极对置，在俯视观察振动部的表面时，频率调整膜设置于比两个上部电极各自的中心部靠近两个上部电极的相互对置的
端部的区域。
[0012]根据本专利技术，能够提供一种提高了生产率的谐振器以及具备该谐振器的谐振装置。
附图说明
[0013]图1是简要地表示第一实施方式所涉及的谐振装置的外观的立体图。
[0014]图2是沿着图1所示的谐振装置的II
‑
II线的剖视图。
[0015]图3是简要地表示第一实施方式所涉及的谐振器的构造的俯视图。
[0016]图4是简要地表示第一实施方式所涉及的振动部的构造的俯视图。
[0017]图5是沿着图4所示的振动部的V
‑
V线的剖视图。
[0018]图6是表示对第一实施方式所涉及的振动部施加电压的结构的剖视图。
[0019]图7是示意性地表示第一实施方式所涉及的振动部的振动方式的立体图。
[0020]图8是表示频率变化量与离子束照射时间的关系的图表。
[0021]图9是表示TCF变化量与频率调整膜宽度比率的关系的图表。
[0022]图10是简要地表示第二实施方式所涉及的振动部的结构的剖视图。
[0023]图11是简要地表示第三实施方式所涉及的振动部的结构的剖视图。
[0024]图12是简要地表示第四实施方式所涉及的振动部的结构的剖视图。
[0025]图13是简要地表示第五实施方式所涉及的谐振器的结构的俯视图。
[0026]图14是示意性地表示第五实施方式所涉及的振动部的振动方式的立体图。
[0027]图15是简要地表示第五实施方式的变形例所涉及的谐振器的结构的俯视图。
[0028]图16是简要地表示第五实施方式的变形例所涉及的谐振器的结构的俯视图。
[0029]图17是简要地表示第五实施方式的变形例所涉及的谐振器的结构的俯视图。
[0030]图18是简要地表示第五实施方式的变形例所涉及的谐振器的结构的俯视图。
[0031]图19是简要地表示第五实施方式的变形例所涉及的谐振器的结构的俯视图。
[0032]图20是简要地表示第五实施方式的变形例所涉及的谐振器的结构的俯视图。
[0033]图21是简要地表示第五实施方式的变形例所涉及的谐振器的结构的俯视图。
[0034]图22是表示对第六实施方式所涉及的振动部施加电压的结构的剖视图。
[0035]图23是示意性地表示第六实施方式所涉及的振动部的振动方式的立体图。
[0036]图24是示意性地表示第六实施方式的变形例所涉及的振动部的振动方式的立体图。
具体实施方式
[0037]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。各实施方式的附图为例示，各部分的尺寸、形状是示意性的，不应理解为将本申请专利技术的技术范围限定于该实施方式。
[0038]在各个附图中，为了明确各个附图相互的关系，帮助理解各部件的位置关系，有时方便起见附加由X轴、Y轴以及Z轴构成的正交坐标系。将与X轴、Y轴以及Z轴平行的方向分别称为X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向。将由X轴及Y轴规定的面称为XY面，对于YZ面及ZX面也同样。另外，方便起见，有时将Z轴方向的箭头的朝向(Z轴正方向侧)称为上，将与Z轴方向的箭头相反的朝向(Z轴负方向侧)称为下。但是，这并不限定谐振装置1的朝向。
[0039]＜第一实施方式＞
[0040]首先，参照图1及图2对本专利技术的第一实施方式所涉及的谐振装置1的概略结构进行说明。图1是简要地表示第一实施方式所涉及的谐振装置的外观的立体图。图2是沿着图1所示的谐振装置的II
‑
II线的剖视图。
[0041]该谐振装置1具备谐振器10、和隔着谐振器10相互对置地设置的下盖20及上盖30。下盖20、谐振器10以及上盖30依次沿着Z轴方向层叠。下盖20及上盖30构成将谐振器10收容的盖体，隔着谐振器10相互接合。在下盖20与上盖30之间形成的盖体的内部空间在真空状态下被气密地密封。此外，也可以在盖体的内部空间填充例如惰性气体等气体。
[0042]谐振器10是使用MEMS技术而被制造的MEMS振动元件。谐振器10的频率例如为1kHz以上且10MHz以下。谐振器10具备振动部120、保持部140以及一对保持单元110。振动部120可振动地保持于盖体的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种谐振器，其中，具备：振动部，具有以彼此相反的相位振动的两个部分；保持部，形成为将所述振动部的至少一部分包围；以及保持单元，对所述两个部分的边界进行支承，并且将所述振动部与所述保持部连接，在所述振动部的表面中的、所述保持单元的与所述振动部连接的连接部分和沿着所述两个部分的边界与所述连接部分对置的端部之间的区域设置有频率调整膜。2.根据权利要求1所述的谐振器，其中，所述保持单元是对所述两个部分的边界进行夹持的一对保持单元，所述频率调整膜设置于所述一对保持单元各自的与所述振动部连接的连接部分之间的区域。3.根据权利要求1或2所述的谐振器，其中，所述频率调整膜设置于比所述振动部的所述两个部分各自的中心部靠近所述两个部分的边界的区域。4.根据权利要求1～3中任一项所述的谐振器，其中，所述振动部的所述两个部分的排列方向上的所述频率调整膜的宽度相对于所述振动部的宽度为10％以上30％以下的大小。5.根据权利要求1～4中任一项所述的谐振器，其中，所述振动部的所述两个部分的排列方向上的所述频率调整膜的宽度比所述振动部的所述两个部分的排列方向上的所述保持单元的与所述振动部连接的所述连接部分的宽度小。6.根据权利要求1～5中任一项所述的谐振器，其中，所述振动部还具有：压电膜；下部电极，设置于所述压电膜的一侧；以及两个上部电极，设置于所述压电膜的另一侧，且在所述振动部的所述两个部分的每一个中隔着所述压电膜与所述下部电极对置。7.根据权利要求6所述的谐振器，其中，所述振动部的所述两个部分的排列方向上的所述频率调整膜的宽度比所述两个上部电极之间的间隙小。8.根据权利要求6或7所述的谐振器，其中，在俯...
【专利技术属性】
技术研发人员：竹山佳介，西村俊雄，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
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