半桥激励电路制造技术

一种半桥激励电路，由连接在高压直流电源的输出端与相应的上下干线之间的上下两个功率晶体管构成，用以给具有第一第二两端的一个自举电容器充电，该第一端接所述输出端，所述电路的特征在于，它包括： 控制和电平移位装置，同以产生上下激励指令信号，供控制激励所述各上下功率晶体管，使其不致同时导通； 电源装置，用以在电源输出端产生比所述较低干线低的控制电压； 一个下激励模件，与电源输出端连接，由所述较低的控制电压供电，该模件具有信号施加装置，供根据所述下激励指令信号将下激励控制信号加到下功率晶体管的控制极与下干线之间； 一个上激励模件，适宜接所述自举电容器，以便由所述自举电容器两端的自举电压供电，该模件有一个信号施加装置，同以根据所述上激励指令信号将上激励控制信号加到上功率晶体管的控制极与所述输出端之间；和 自举二极管仿效装置，用以将所述自举电容器充电到所述自举电压，所述自举二极管仿效装置还有一个晶体管，该晶体管的高电流的第一电极接所述电源输出端，晶体管的高电流的第二电极适宜接自举电容器的另一端，晶体管的作控制用的第三电极耦合到一个装置上，该装置用以从所述下激励指令信号获取另一个控制信号，用以使所述另一个晶体管在下功率晶体管受激导通时受激导通。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：R·杰亚拉曼，A·贾纳斯旺米，I·瓦齐克，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：