【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及非还原介电陶瓷和使用它的陶瓷电子元件，比如采用这种非还原介电陶瓷的单片陶瓷电容器和单片LC滤波器。具体地说，本专利技术涉及一种对非还原介电陶瓷的改进，从而可以与铜或铜合金进行一起燃烧。另一方面，用于高频波段的陶瓷电子元件，如单片LC滤波器，必须具有内置的高导电性内部导体。因此必须以高导电性材料，如金、银和铜作为内部导体的导电材料。还必须考虑到内置于单片陶瓷电子元件中的内部导体所含的金属能与介电陶瓷共同燃烧。并且，理想的是，内部导体所用的金属要较为廉价。因为用作导电材料的金或银是比较昂贵的，因此会提高由其形成的陶瓷电子元件的成本。而且，银的熔点较低，约为960℃，因此，在这一温度下烧结陶瓷通常是困难的。另外，诸如内部电极等导体被制成为与单片陶瓷电子元件中的陶瓷相接触，并且以银作为导体可能会导致迁移。相反，由于铜是较为廉价的，因此所制成的陶瓷电子元件可以保持低成本。由于铜的熔点最高约为1080℃，并且其导电性强，因此适用于作为高频波段中使用的陶瓷电子元件中内置的导体材料。但是在制造过程中用铜作导电材料时，必须在中性或还原性气氛中进行燃烧。因此用在单...
【技术保护点】
一种非还原介电陶瓷，它包含：钨青铜晶相，至少包括Ｂａ、ＲＥ和Ｔｉ；以及烧绿石晶相，至少包括ＲＥ和Ｔｉ，其中ＲＥ是至少一种稀土元素，并且其中０．１０≤ｂ／（ａ＋ｂ）≤０．９０，ａ是经Ｘ射线衍射而得到的钨青铜型晶相的最大峰值强度，ｂ 是经Ｘ射线衍射而得到的烧绿石型晶相的最大峰值强度。
【技术特征摘要】
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