【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造通过联合使用压电薄膜的单个或多个压电薄膜谐振器制造的压电薄膜器件的方法，并且更加具体地，涉及制造用于滤波器或类似物的压电薄膜器件的方法，所述滤波器用于通信设备，以及通过所述方法制造的压电薄膜器件。
技术介绍
使用压电现象的器件已用在各种领域中。在可携带设备的小型化和节能的进展中，用于上述设备的如RF滤波器或IF滤波器那样的表面声波(SAW)器件的应用领域正在扩大。SAW滤波器的设计和制造技术的增强已满足了用户对规格的严格要求。然而，随着正在使用的频率向更高频带转移，特性的增强正接近于它的上限，所以，对将要形成的电极的微观结构和稳定输出的保证两者都需要大的技术革新。进一步，使用压电薄膜厚度振动的薄膜腔声谐振器(thin film bulkacoustic resonator)(在下文中被称作“FBAR”)以及堆叠的薄膜腔声谐振器和滤波器(在下文中被称作“SBAR”)每个都由薄膜组成，所述薄膜主要由压电元件和用于驱动基片上提供的薄支撑膜上的薄膜的电极组成，所以它们能够在千兆赫频带中执行基频谐振。当滤波器由FBAR或SBAR构造时，滤波器能够以显著...
【技术保护点】
一种用于制造压电薄膜器件的方法，在所述压电薄膜器件中，包括压电薄膜、分别形成在所述膜的上和下表面上的上电极和下电极的压电层压结构由基片支撑，并且在所述压电薄膜器件中，形成用于振荡的空间以允许所述压电层压结构的振荡，所述方法包括：在所 述基片的上表面上形成能够由特定化学物质蚀刻的绝缘层的步骤；在所述绝缘层的部分区域上形成牺牲层的步骤，所述牺牲层由与所述绝缘层相比所述特定化学物质对其具有更高的蚀刻速度的物质制成；在包括所述牺牲层的部分或整体的区域上形成下电极 的步骤；在包括所述下电极的部分的区域上形成压电薄膜的步骤；在包括所述压电薄膜...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：长尾圭吾，国泽哲郎，山田哲夫，
申请(专利权)人：宇部兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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