温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种制造压电薄膜器件的方法，其包括：在基片（１１）的上表面上形成能够由特定化学物质蚀刻的绝缘层（１２）的步骤；在绝缘层的部分区域上形成牺牲层（１３）的步骤，所述牺牲层由与绝缘层相比所述特定化学物质对其具有更高的蚀刻速度的物质制成；在包...
该专利属于宇部兴产株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过宇部兴产株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。