RF功率放大器制造技术

根据本发明专利技术的ＲＦ功率放大器包括连接到电源的多个并联输出晶体管（ＨＢＴ，１，１到ＨＢＴ，１，Ｎ）。提供用于输出晶体管（ＨＢＴ，１，１到ＨＢＴ，１，Ｎ）的多个基极电阻器（Ｒｂ，１，１到Ｒｂ，１，Ｎ）和多个输入电容器（Ｃｂ，１到Ｃｂ，Ｎ），每个输入电容器并联耦合以便接收ＲＦ信号输入并经至少一个附加无源部件连接到每个对应输出晶体管（ＨＢＴ，１，１到ＨＢＴ，１，Ｎ）的输入端。从输出晶体管（ＨＢＴ，１，１到ＨＢＴ，１，Ｎ）的并联接点获得用于ＲＦ输出信号的输出。晶体管（ＨＢＴ，１，１到ＨＢＴ，１，Ｎ）是异质结双极晶体管。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包括多个放大元件的射频功率放大器，每个放大元件具有控制电极、第一主电极和第二主电极，由此放大元件的第一主电极耦合到公共输出节点，放大元件的第二主电极耦合到公共参考节点，每个放大元件的控制电极经各个输入电容器耦合到公共射频信号输入节点并经各个基极电阻器耦合到公共偏置节点。US-A-5629648公开了一种射频(RF)功率放大器电路，它包括异质结双极晶体管并包括具有基极-发射极电压的第一晶体管；电源和连接到电源的电源电阻器，使DC电流流过第一晶体管，产生等于第一晶体管的基极-发射极电压的最终电压。提供至少两种基极电阻器和至少两个输出晶体管，它们每个通过其对应种类的基极电阻器接收最终电压。至少两个输入电容器具有连接到RF信号输入的公共输入并具有彼此DC隔离的独立输出并连接到每个输出晶体管，其中每个输入电容器并联耦合以接收RF信号输入并连接到每个对应输出晶体管的输入端。如果每个晶体管接地，则从输出晶体管的并联连接点获得RF输出信号。异质结双极晶体管适合于射频(RF)功率放大器应用。一般来说，在功率装置中消耗大量功率。为了充分地散热，由此避免结构性击穿，这种功率放大器通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频功率放大器，包括：多个放大元件（ＨＢＴ，１，１…ＨＢＴ，１，Ｎ），每个放大元件具有控制电极、第一主电极和第二主电极，由此放大元件的第一主电极耦合到公共输出节点，放大元件的第二主电极耦合到公共参考节点，每个放大元件的控制电极经各个输入电容器（Ｃｂ，１、…Ｃｂ，Ｎ）耦合到公共射频信号输入节点（ＲＦｉｎ）并经各个基极电阻器（Ｒｂ，１，１…Ｒｂ，１，Ｎ）耦合到公共偏置节点（Ｂｉａｓ），其特征在于：每个放大元件的控制电极经各个附加无源部件（Ｒｂ，２，１…Ｒｂ，２，Ｎ）耦合到所述各个电容器（Ｃｂ，１、…Ｃｂ，Ｎ）和耦合到所述各个基极电阻器（Ｒｂ，１，１…Ｒｂ，１，Ｎ）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：R科斯特，JJ胡格，N克拉默，RM希尔雷斯，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]