自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法技术

本发明专利技术提供一种自对准成像工艺剪切层刻蚀偏差的测量方法，设计测试图形，主版图包括在X方向等间距分布、在Y方向以相差固定偏移量依次分布的牺牲层图形和多行沿着X，Y方向等间距分布的剪切层图形。每一列相邻的两个牺牲层图形在Y方向的周期与剪切层图形的周期一致。将该测试图形转移至光罩上，经过一系列光刻和刻蚀等工艺后，利用大场检测工具进行检测，通过正好被完全剪切掉的fin结构和刚刚被剪切到的fin结构的位置来确定刻蚀后图形的边界。本发明专利技术准确地确定剪切层AEI CD的边界，从而确定刻蚀偏差，为光学临近效应校正/光刻/刻蚀工艺的调整提供参考，提高工艺修正和调整的准确性，减少缺陷的产生。减少缺陷的产生。减少缺陷的产生。

【技术实现步骤摘要】
自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法。

技术介绍

[0002]在FinFet(鳍式晶体管)工艺中，首先是利用SADP(自对准双重成像技术)工艺定义整体的fin，继而通过平行于fin和垂直于fin的剪切层将多余的fin去除从而定义有源区。对于平行于fin的剪切层，理想的情况是将多余的整体的fin刻蚀掉的同时不损害到上下的fin。如图1，分别为整体的fin和经过剪切层定义出来的有源区，虚线标记区域为平行于fin的剪切层区域，临近剪切层边界的fin有明显的fin损伤。
[0003]从版图文件到得到最终的有源区中间经过OPC(光学临近效应)修正、光刻工艺、刻蚀工艺，每个步骤都有可能造成fin损伤，其中，由于底层的三维结构，对于平行于fin的剪切层，刻蚀工艺结束后并不会在底层留下印记，因此无法直接对AEI CD(刻蚀后关键尺寸测量)进行量测，无法得到刻蚀偏差及其对fin损害造成的影响，如图2所示，而将标记设计在大块有源区或者STI(浅沟槽隔离)上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法，其特征在于，至少包括：步骤一、设计主版图，所述主版图包括在X方向等间距分布、在Y方向以相差固定偏移量依次分布的牺牲层图形和多行沿着X、Y方向等间距分布的剪切层图形；其中所述X方向为平行于所述主版图的方向，所述Y方向垂直于所述X方向且平行于所述主版图；每一行的多个所述牺牲层图形沿着Y方向至少从与剪切层图形的上边缘齐平到与其下边界齐平；每一列相邻的两个所述牺牲层图形在Y方向的周期与所述剪切层图形的周期一致；步骤二、设计测试键图形，所述测试键图形包括至少10行所述剪切层图形以及其上的全部所述牺牲层图形；步骤三、提供衬底，所述衬底上形成有多个fin结构、覆盖多个所述fin结构的硬质掩膜层以及覆盖所述硬质掩膜层的牺牲层，之后在所述牺牲层上形成光刻胶层，光刻将所述测试键图形转移至所述光刻胶层上，之后对光刻后的所述光刻胶层进行量测得到ADI关键尺寸；步骤四、刻蚀所述衬底，通过正好被完全剪切掉的所述fin结构和刚刚被剪切到的所述fin结构的位置来确定刻蚀后图形的边界，从而得到AEI关键尺寸；步骤五、根据所述ADI关键尺寸和所述AEI关键尺寸得到刻蚀偏差。2.根据权利要求1所述的自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法，其特征在于：步骤一中的所述牺牲层图形的长度大于等于宽度的五倍。3.根据权利要求1所述的自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法，其特征在于：步骤一中的所述固定偏移量为零，同一行的多个所述牺牲层图形合并。4.根据权利要求1所述的自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法，其特征在于：步骤一中的所述固定偏移量为版图设计规则中最小格点的整数倍。5.根据权利要求1所述的自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱睿，赖璐璐，刘必秋，张聪，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：