一种FinFET器件及其形成方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种FinFET器件及其形成方法。该形成方法在进行蚀刻之前，利用保护膜覆盖鳍状物，然后对鳍状物进行光刻以在第一组鳍状物上形成第一蚀刻图案，第一组鳍状物包含待去除的第一鳍结构；之后利用第一蚀刻图案蚀刻第一组鳍状物和对应的保护膜，去除第一鳍结构并形成第一组预设鳍状物；之后通过各向同性蚀刻去除残留的第一鳍结构，在对应第一组鳍状物的基板上形成凹结构。因而避免了现有技术中蚀刻后留下的圆角问题；同时形成的凹结构有利于维持水平线，不会造成器件的弯曲。不会造成器件的弯曲。不会造成器件的弯曲。

【技术实现步骤摘要】
一种FinFET器件及其形成方法和电子装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种FinFET器件及其形成方法和电子装置。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路器件领域中，场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管一直是用来制造专用集成电路芯片、静态随机存储器(SRAM)芯片等产品的主要半导体器件。
[0003]半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速的成长。在IC演变的进程中，功能密度(即，每个芯片面积上互相连接的器件的数量)已经普遍增加，同时几何尺寸(即，可以使用制造处理做出的最小的组件或线)已经减小。此按比例缩小处理一般通过增加生产效率和降低相关联的成本来提供效益。这样的按比例缩小还已经增加了处理和制造IC的复杂性，而为了实现这样的先进性，需要半导体制造中的类似发展。
[0004]例如，随着半导体工业已经进展到追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本的纳米技术处理节点，来自制造和设计二者的挑战已经导致了鳍型场效应晶体管(FinFET)器件的发展。在传统方法制作FinFET器件时，采用鳍结构后去除(Fin Cut
‑
last)方案的过程为，先形成阵列状的鳍结构，再通过水平方向切割和垂直方向切割去除多余部分鳍结构以形成预设的鳍结构。但是，在通过光刻形成预设掩膜版图案时，由于光学近邻效应，容易发生理想像频谱一定程度上的畸变，导致预设直角区域变为圆角化区域。特别地，在切割鳍结构时，切割完成后水平方向切割和垂直方向切割的交汇点容易产生圆角，造成鳍结构不完全去除，进而影响最终形成的FinFET器件的性能。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于，提供一种FinFET器件及其形成方法和电子装置。
[0006]本专利技术所采用的技术方案是：构造一种FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
[0007]在半导体基板上形成多个鳍状物；
[0008]用保护膜覆盖所述多个鳍状物的表面；
[0009]对所述多个鳍状物进行光刻处理，以在第一组鳍状物上形成第一蚀刻图案，所述第一组鳍状物包含待去除的第一鳍结构；
[0010]通过所述第一蚀刻图案蚀刻第一组鳍状物和相应的保护膜,去除第一鳍结构并形成第一组预设鳍状物；
[0011]各向同性蚀刻继续去除残留的第一鳍结构，并在对应第一组鳍状物的基板上形成凹结构。
[0012]在本专利技术提供的FinFET器件的形成方法中，还包括：
[0013]在各向同性蚀刻过程后，移除所述第一组鳍状物上剩余的保护膜。
[0014]在本专利技术提供的FinFET器件的形成方法中，还包括：
[0015]对所述多个鳍状物进行光刻处理，以在第二组鳍状物上形成第二蚀刻图案，所述第二组鳍状物包含待去除的第二鳍结构；
[0016]通过所述第二蚀刻图案蚀刻第二组鳍状物，去除第二鳍结构并形成第二组预设鳍状物，同时在对应第二组鳍状物的基板上形成凸结构。
[0017]在本专利技术提供的FinFET器件的形成方法中，蚀刻第一组鳍状物的蚀刻方向与蚀刻第二组鳍状物的蚀刻方向彼此垂直。
[0018]根据本专利技术的另一方面，还提供一种FinFET器件，包括：
[0019]半导体基板；以及
[0020]在所述半导体基板上形成的多个鳍状物；
[0021]一个或多个凸结构和一个或多个凹结构，所述凸结构和所述凸结构分别对应于从所述半导体基板上移除的一组鳍状物。
[0022]根据本专利技术的又一方面，还提供一种子装置，包括如上所述的FinFET器件。
[0023]本专利技术的FinFET器件及其形成方法和电子装置，具有以下有益效果：本专利技术提供的FinFET器件的形成方法，在进行蚀刻之前，利用保护膜覆盖鳍状物，然后对鳍状物进行光刻以在第一组鳍状物上形成第一蚀刻图案，所述第一组鳍状物包含待去除的第一鳍结构；之后利用第一蚀刻图案蚀刻第一组鳍状物和对应的保护膜；之后通过各向同性蚀刻去除残留的第一鳍结构，并在对应第一组鳍状物的基板上形成凹结构。因而避免了现有技术中蚀刻后留下的圆角问题；同时形成的凹结构有利于维持水平线，不会造成器件的弯曲。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图：
[0025]图1是本专利技术一实施例提供的SRAM的形成方法的流程图；
[0026]图2
‑
图11是根据本专利技术的FinFET器件的形成方法的各阶段俯视图和剖面示意图。
具体实施方式
[0027]以下公开许多不同的实施方法或是例子来实行本专利技术实施例的不同特征，以下描述具体的元件及其排列的实施例以阐述本专利技术实施例。当然这些实施例仅用以例示，且不该以此限定本专利技术实施例的范围。例如，在说明书中提到第一特征形成于第二特征之上，其包括第一特征与第二特征是直接接触的实施例，另外也包括于第一特征与第二特征之间另外有其他特征的实施例，亦即，第一特征与第二特征并非直接接触。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。
[0028]此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“在
……
下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相关用词是为了便于描述图示中一个(些)元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系，这些空间相关用词包括使用中或操作中的装置的
不同方位，以及图式中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相关形容词也将依转向后的方位来解释。
[0029]虽然所述的一些实施例中的步骤以特定顺序进行，这些步骤亦可以其他合逻辑的顺序进行。在不同实施例中，可替换或省略一些所述的步骤，亦可于本专利技术实施例所述的步骤之前、之中、及/或之后进行一些其他操作。本专利技术实施例中的半导体元件结构可加入其他的特征。在不同实施例中，可替换或省略一些特征。
[0030]本专利技术实施例提供一种FinFET器件的形成方法，在进行蚀刻之前，利用保护膜覆盖鳍状物，然后对鳍状物进行光刻以在第一组鳍状物上形成第一蚀刻图案，所述第一组鳍状物包含待去除的第一鳍结构；之后利用第一蚀刻图案蚀刻第一组鳍状物和对应的保护膜；之后通过各向同性蚀刻去除残留的第一鳍结构，并在对应第一组鳍状物的基板上形成凹结构。本专利技术在保护膜覆盖鳍结构的基础上，通过湿法刻蚀去除水平方向切割和垂直方向切割交汇的圆角化区域，避免鳍结构去除不完全的问题；同时通过形成低于基板水平线的凹结构，增加接触插塞与衬底之间的空间，降低了接触插塞抵接衬底的风险；而且，所述凹结构与形成高于基板水平本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体基板上形成多个鳍状物；用保护膜覆盖所述多个鳍状物的表面；对所述多个鳍状物进行光刻处理，以在第一组鳍状物上形成第一蚀刻图案，所述第一组鳍状物包含待去除的第一鳍结构；通过所述第一蚀刻图案蚀刻第一组鳍状物和相应的保护膜,去除第一鳍结构并形成第一组预设鳍状物；各向同性蚀刻继续去除残留的第一鳍结构，并在对应第一组鳍状物的基板上形成凹结构。2.根据权利要求1所述的FinFET器件的形成方法，其特征在于，还包括：在各向同性蚀刻过程后，移除所述第一组鳍状物上剩余的保护膜。3.根据权利要求2所述的FinFET器件的形成方法，其特征在于，还包括：对所述多个鳍状物进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：张峰溢，苏廷锜，黄崇哲，苏韦菘，
申请(专利权)人：广州集成电路技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：