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本发明提供一种自对准成像工艺剪切层刻蚀偏差的测量方法，设计测试图形，主版图包括在X方向等间距分布、在Y方向以相差固定偏移量依次分布的牺牲层图形和多行沿着X，Y方向等间距分布的剪切层图形。每一列相邻的两个牺牲层图形在Y方向的周期与剪切层图形的...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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