半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底内形成初始凹槽，所述初始凹槽的侧壁表面和底部表面之间的夹角具有第一曲率；在初始凹槽侧壁表面和底部表面形成覆盖层，使所述初始凹槽形成第一凹槽，所述第一凹槽的侧壁表面和底部表面之间的夹角为直角，或者所述第一凹槽侧壁表面和底部表面之间的夹角具有第二曲率，且所述第二曲率小于所述第一曲率；在覆盖层上形成鳍部材料层，所述鳍部材料层填充满所述第一凹槽。所述方法形成的鳍部结构性能得到提升。得到提升。得到提升。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺技术的不断发展，常规的MOS场效应管的结构已经无法满足对器件性能的需求，鳍式场效应管(Fin FET)作为常规器件的替代得到了广泛的关注。
[0003]随着工艺节点的进一步减小，现有的鳍式场效应管的性能还有待提升。其中，鳍部的性能还有待改善。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以提升鳍部的性能。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底内形成初始凹槽，所述初始凹槽的侧壁表面和底部表面之间的夹角具有第一曲率；在初始凹槽侧壁表面和底部表面形成覆盖层，使所述初始凹槽形成第一凹槽，所述第一凹槽的侧壁表面和底部表面之间的夹角为直角，或者所述第一凹槽侧壁表面和底部表面之间的夹角具有第二曲率，且所述第二曲率小于所述第一曲率；在覆盖层上形成鳍部材料层，所述鳍部材料层填充满所述第一凹槽。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底内形成初始凹槽，所述初始凹槽的侧壁表面和底部表面之间的夹角具有第一曲率；在初始凹槽侧壁表面和底部表面形成覆盖层，使所述初始凹槽形成第一凹槽，所述第一凹槽的侧壁表面和底部表面之间的夹角为直角，或者所述第一凹槽侧壁表面和底部表面之间的夹角具有第二曲率，且所述第二曲率小于所述第一曲率；在覆盖层上形成鳍部材料层，所述鳍部材料层填充满所述第一凹槽。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的形成工艺包括原子层沉积工艺。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料包括单晶硅。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度范围为：10埃～100埃。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部材料层的材料包括硅锗。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一曲率的范围为大于2E8。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部材料层的形成方法包括：在所述覆盖层上形成初始鳍部材料层；平坦化所述初始鳍部材料层，形成所述鳍部材料层。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层还位于衬底表面。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始鳍部材料层还位于衬底表面；平坦化所述初始鳍部材料层形成所述鳍部材料层，所述鳍部材料层暴露出衬底表面。10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，平坦化所述初始鳍部材料层的工艺包括化学机械抛光工艺或回刻蚀工艺；回刻蚀所述初始鳍部材料层的工艺参数包括：气体包括三氟化氮、氢气和氨气的混合气体；温度范围为
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20摄氏度～50摄氏度。11.如权利要求9的半导体结构的形成方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，纪世良，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：