具有自对准接触结构的晶体管器件、电子装置及形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种具有自对准接触结构的晶体管器件的形成方法，包括以下步骤：在半导体基板上形成多个栅极结构，栅极结构包括栅极和形成于栅极相对侧壁上的侧壁间隔物；在栅极结构的上方沉积一层绝缘材料形成绝缘层；切割绝缘层以形成位于栅极结构上方的覆盖层；切割覆盖层以在半导体基板上方形成自对准接触元件，其中，覆盖层的宽度大于栅极结构的宽度，自对准接触元件通过覆盖层和侧壁间隔物与栅极结构电绝缘。因而避免了现有技术中侧壁间隔物上有金属残留物；最后形成的NMOS/PMOS栅极高度负载难以控制；凹陷栅极结构过程中使用的腔室门室难以维护(聚合物丰富)的问题。室门室难以维护(聚合物丰富)的问题。室门室难以维护(聚合物丰富)的问题。

【技术实现步骤摘要】
具有自对准接触结构的晶体管器件、电子装置及形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种具有自对准接触结构的晶体管器件及其形成方法和包含该晶体管器件的电子装置。

技术介绍

[0002]半导体集成电路产业经历快速成长。集成电路设计与材料的科技发展生产了数世代的集成电路，其中每个世代具备比上个世代更小及更复杂的电路。在集成电路发展的进程中，几何尺寸逐渐缩小。
[0003]随着集成电路尺寸缩小，自对准接触结构与栅极之间距离变小，因此短路产生漏电流的机率增加。传统上制作具有自对准接触结构的晶体管器件时，在半导体衬底101上通过栅极抛光工艺形成栅极结构102后，需要对栅极结构进行凹陷操作；然后在凹陷后的栅极结构上沉积形成绝缘层103；之后进行抛光处理；最后在抛光后的栅极结构上通过切割形成自对准接触元件104。由此，形成图1所示的晶体管器件。通过这种方法生成的晶体管器件具有以下问题：
[0004]1、侧壁间隔物105上有金属栅极的残留物；
[0005]2、最后形成的NMOS/PMOS栅极高度负载难以控制；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有自对准接触结构的晶体管器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体基板上形成多个栅极结构，所述栅极结构包括栅极栅极和形成于栅极相对侧壁上的侧壁间隔物；在所述栅极结构的上方沉积一层绝缘材料形成绝缘层；切割所述绝缘层以形成位于所述栅极结构上方的覆盖层；在所述半导体基板上方形成自对准接触元件，其中，所述覆盖层的宽度大于所述栅极结构的宽度，所述自对准接触元件通过所述覆盖层和所述侧壁间隔物与所述栅极结构电绝缘。2.根据权利要求1所述的具有自对准接触结构的晶体管器件的形成方法，其特征在于，切割所述绝缘层以形成位于所述栅极结构上方的覆盖层的所述步骤包括：在所述绝缘层上方形成光阻层；通过蚀刻处理在所述光阻层形成一个或多个开口；通过所述一个或多个开口切割所述绝缘层以形成所述覆盖层。3.根据权利要求1所述的具有自对准接触结构的晶体管器件的形成方法，其特征在于，在所述半导体基板上方形成自对准接触元件的所述步骤包括：在所述覆盖层上方淀积层间介质层；在所述层间介质层上形成光阻层；通过蚀刻处理在所述光阻层形成一个或多个开口；通过所述一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林盈志，张峰溢，苏廷锜，
申请(专利权)人：广州集成电路技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：