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本发明公开了一种具有自对准接触结构的晶体管器件的形成方法，包括以下步骤：在半导体基板上形成多个栅极结构，栅极结构包括栅极和形成于栅极相对侧壁上的侧壁间隔物；在栅极结构的上方沉积一层绝缘材料形成绝缘层；切割绝缘层以形成位于栅极结构上方的覆盖层...
该专利属于广州集成电路技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州集成电路技术研究院有限公司授权不得商用。

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