用于处理基板的设备和方法技术

本发明专利技术构思提供了一种基板处理设备。在实施例中，基板处理设备包括：液体处理室，用于在其中对基板进行液体处理；干燥室，用于对经液体处理的基板进行干燥处理；转移装置，用于在所述液体处理室与所述干燥室之间转移所述基板；以及控制器，用于控制所述液体处理室和所述转移装置，其中所述转移装置包括：转移机器人，其具有用于将所述基板放置在其上的手；以及加热构件，用于加热所述基板，并且其中所述控制器控制所述转移装置，使得在所述转移装置将从所述液体处理室取出的所述基板转移到所述干燥室之前，所述转移装置的所述加热构件将所述基板上的液体加热到第一温度。所述基板上的液体加热到第一温度。所述基板上的液体加热到第一温度。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的设备和方法


[0001]本文描述的本专利技术构思的实施例涉及流体供应单元和基板处理设备，更具体地，涉及供应超临界流体的流体供应单元和具有所述流体供应单元的基板处理设备。

技术介绍

[0002]一般地，半导体装置由诸如圆晶的基板制造成。具体地，通过执行诸如沉积、光刻、清洁、干燥和蚀刻等过程在基板的上表面上形成精细电路图案来制造半导体装置。由于在执行上述过程时各种异物附着到其上形成有电路图案的基板的顶表面，因此在过程之间执行去除基板上的异物的清洁过程。
[0003]一般地，清洁过程包括通过向基板供应化学物来从基板去除异物的化学处理、通过向基板供应纯净水来从基板去除残留的化学物的冲洗处理、以及从基板去除残留的纯净水的干燥处理。
[0004]使用超临界流体来干燥基板。例如，用有机溶剂取代基板上的纯净水，并且向高压室中的基板的顶表面供应超临界流体，以溶解并去除基板上残留的有机溶剂。如果将异丙醇(IPA)用作有机溶剂，则将二氧化碳(CO2)用作超临界流体，因为它具有相对低的临界温度和临界压力并且很好地溶解IPA。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：液体处理室，用于在其中对基板进行液体处理；干燥室，用于对经液体处理的所述基板进行干燥处理；转移装置，用于在所述液体处理室与所述干燥室之间转移所述基板；以及控制器，用于控制所述液体处理室和所述转移装置，其中所述转移装置包括：转移机器人，其具有用于将所述基板放置在其上的手；以及加热构件，用于加热所述基板，并且其中所述控制器控制所述转移装置，使得在所述转移装置将从所述液体处理室取出的所述基板转移到所述干燥室之前，所述转移装置的所述加热构件将所述基板上的液体加热到第一温度。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述加热构件是设置在所述手处的加热器。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述加热构件设置为在所述液体处理室与所述干燥室之间的加热室，并且所述加热室包括：具有允许所述手进出的开口的壳体；用于在其上放置所述基板的支撑单元；以及用于向所述壳体的内部空间供应高温气体的气体供应装置。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述加热构件设置为其中具有加热器并且设置在所述液体处理室与所述干燥室之间的加热板。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器控制所述液体处理室以便在所述液体处理室内将处于第二温度的所述液体供应到所述基板，并且控制所述转移装置以使所述加热构件将所述基板上的所述液体加热到所述第一温度，所述第一温度高于所述第二温度。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第二温度是高于室温的温度。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述液体是有机溶剂，并且超临界流体被供应到所述干燥室的内部。8.根据权利要求1至7中任一项所述的设备，其中所述第一温度低于所述液体的沸点。9.一种基板处理方法，包括：将基板从液体处理室转移到干燥室，其中所述基板已经在所述液体处理室中通过将液体供应到所述基板上而进行了液体处理；以及通过将流体供应到所述干燥室中来对经液体处理的所述基板进行干燥处理，其中在对经液体处理的所述基板进行所述干燥处理之前，将所述基板上的所述液体加热到第一温度。10....

【专利技术属性】
技术研发人员：林义相，李龙熙，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：