【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置及衬底处理方法
[0001]相关申请
[0002]本申请与2020年12月28日向日本专利厅提交的特愿2020
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219432号对应,所述申请的所有揭示以引用的方式并入本文中。
[0003]本专利技术涉及一种处理衬底的衬底处理装置、与处理衬底的衬底处理方法。处理对象的衬底包含例如半导体晶圆、液晶显示装置及有机EL(Electroluminescence:电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display:平板显示器)用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、磁光盘用衬底、光罩用衬底、陶瓷衬底、太阳能电池用衬底等。
技术介绍
[0004]美国专利申请公开第2016/0214148号说明书中,揭示了从衬底的中心朝周缘形成与衬底的上表面平行的惰性气流,由所述惰性气流覆盖衬底的上表面,由此能抑制或防止液滴及水汽附着在衬底的上表面。
技术实现思路
[0005]为了效率良好地抑制处理液的液滴及水汽附着在衬底的上表面,需要提高从喷出口喷出且从衬底上表面的中心侧朝向周缘侧的气 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置,具备:旋转夹盘,保持衬底;及流体喷嘴,与保持在所述旋转夹盘的衬底的主面对向配置;且所述流体喷嘴包含:气体喷出口,从所述衬底的主面的中心侧朝周缘侧放射状喷出气体;及气体流路,对所述气体喷出口供给气体,具有沿相对于所述衬底的主面交叉的方向的筒形状;且所述气体流路具有:气体积存部,流路剖面积大于所述气体流路中的其它部位;及整流构造,在所述气体流路中设置在与所述气体积存部不同的部分,将所述气体流路内的气流整流。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中所述流体喷嘴包含:多个所述气体喷出口、及分别将气体供给到多个所述气体喷出口的多个所述气体流路,且多个所述气体喷出口具有:第1气体喷出口;及第2气体喷出口,设置在比所述第1气体喷出口在所述交叉方向上更远离所述衬底的主面的位置。3.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其中所述交叉方向上的所述第2气体喷出口的宽度窄于所述交叉方向上的所述第1气体喷出口的宽度。4.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其中所述交叉方向上的所述第2气体喷出口的宽度宽于所述交叉方向上的所述第1气体喷出口的宽度。5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的衬底处理装置,其中所述整流构造具有多个第1遮蔽部,在所述气体流路的周向上互相隔开间隔设置,遮蔽气体向所述气体流路的下游侧移动。6.根据权利要求5所述的衬底处理装置,其中所述整流构造还具有多个第2遮蔽部,设置在比多个所述第1遮蔽部更靠所述气体流路的下游侧,遮蔽气体向所述气体流路的下游侧移动,所述周向上的多个所述第2遮蔽部的位置相对于所述周向上的多个所述第1遮蔽部的位置偏移。7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的衬底处理装置,其中所述气体流路还具有:在所述交叉方...
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