半导体结构、形成方法以及红外热电堆探测器技术

一种半导体结构、形成方法以及红外热电堆探测器，半导体结构的形成方法包括：第一晶圆的互连孔，在第一晶圆与器件层和第二晶圆键合前已经形成，形成互连孔的过程中，即使出现机台异常等不可避免的偶然故障，仅第一晶圆需要报废，与将第一晶圆与器件层和第二晶圆键合后，在第一晶圆的第二面形成贯穿第一晶圆的硅通孔的情况相比，避免了第一晶圆、器件层以及第二晶圆均被报废的情况，能够降低半导体结构的生产成本。且本发明专利技术实施例，在第一面形成互连孔的步骤中，第一晶圆还未与其他器件或晶圆键合，且互连孔为盲孔，互连孔的深度较小，能够降低互连孔的形成难度，提高互连孔的形成质量，有利于提高半导体结构的电学性能。有利于提高半导体结构的电学性能。有利于提高半导体结构的电学性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构、形成方法以及红外热电堆探测器


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构、形成方法以及红外热 电堆探测器。

技术介绍

[0002]热成像和传感技术成为抵御病毒的重要防线之一。
[0003]热成像和传感技术通常是非接触式测温，其基于热辐射原理或电磁原理， 测温时，感温元件不直接与被测介质接触，通过辐射实现热交换，达到测温的 目的，例如，红外测温仪、光学高温计等。非接触式测温方法包括辐射测温﹑ 激光测温及红外热成像等。
[0004]红外热电堆探测器则属于非接触式红外辐射测温装置，主要是利用塞贝克 效应(Seebeck效应)来检测温度的变化，其通常都包括多组热电偶对，并且 采用微机电系统(MEMS，Micro
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Electro
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Mechanical System)技术制作的悬空 结构。MEMS简单实用的结构，使热电堆探测器实现小型化、低成本、高精度 成为可能，并且能够完成许多光电型探测器所不能完成的任务。其利用光
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电转化探本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一面和与所述第一面相背的第二面；在所述第一面形成互连孔；提供第二晶圆，所述第二晶圆包括第三面和与所述第三面相背的第四面；在所述第三面上形成器件层；将所述第一晶圆的第一面与器件层背离所述第二晶圆的面相对设置，将所述第一晶圆与器件层和第二晶圆键合。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述第一面形成互连孔后，将所述第一晶圆与器件层和第二晶圆键合前，在所述互连孔的底面和侧壁，以及部分所述第一面上形成互连结构；在所述第三面上形成器件层的步骤中，所述器件层与所述第三面相背的面上形成有焊盘；将所述第一晶圆与器件层和第二晶圆键合的步骤中，所述互连结构与所述焊盘相连接。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述互连结构后，将所述第一晶圆与器件层和第二晶圆键合前，在所述第一面的所述互连结构上形成第一键合层；所述半导体结构的形成方法还包括：在所述第三面上形成器件层后，将所述第一晶圆与器件层和第二晶圆键合前，在所述器件层上形成覆盖所述焊盘的第二键合层；将所述第一晶圆与器件层和第二晶圆键合的步骤中，所述第一键合层和第二键合层作为键合层。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：在提供第一晶圆后，将所述第一晶圆与器件层和第二晶圆键合前，在所述第一面的所述互连孔的侧部形成第一沟槽，所述第一沟槽和所述互连孔相间隔；所述半导体结构的形成方法还包括：提供第二晶圆后，在所述第三面上形成器件层前，在所述第三面上形成第二沟槽；将所述第一晶圆与器件层和第二晶圆键合的步骤中，所述第一沟槽与器件层围成第一空腔，所述第二沟槽与器件层围成第二空腔，所述第二空腔与所述第一空腔相对应。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述第一面形成互连孔后，将所述第一晶圆与器件层和第二晶圆键合前，在所述互连孔的底面和侧壁，以及部分所述第一面上形成互连结构；将所述第一晶圆与器件层和第二晶圆键合后，从所述第二面对所述第一晶圆进行减薄处理；从所述第二面对所述第一晶圆进行减薄处理后，从第二面刻蚀所述第一晶圆，形成露出互连孔底部的所述互连结构的第一通孔；在所述第一通孔中以及所述第一通孔侧部的部分所述第二面上，形成与所述互连结构连接的凸块下金属层；在所述凸块下金属层上形成导电凸块。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方
法还包括：在所述第一面形成互连孔后，在所述互连孔的底面和侧壁，以及部分所述第一面上形成互连结构前，形成保形覆盖所述第一面、第一沟槽和互连孔的绝缘层；形成露出所述互连结构的第一通孔的步骤中：还去除所述互连孔底部的所述绝缘层。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成保形覆盖所述第一面、第一沟槽和互连孔的绝缘层。8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述互连孔底部的所述绝缘层。9.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一通孔中以及所述第一通孔侧部的部分所述第二面上形成与所述互连结构连接的凸块下金属层的步骤包括：形成覆盖所述第二面和第一通孔的...

【专利技术属性】
技术研发人员：石虎，刘孟彬，向阳辉，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：