一种导线及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种导线及其形成方法，所述形成方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有介质层，所述介质层中形成有沟槽，所述沟槽用于形成金属互连线；在所述沟槽的底壁和侧壁上形成阻挡层；对所述沟槽的底壁进行物理轰击，以加深所述沟槽的深度；以及在所述沟槽中填充金属材料，以形成金属互连线，进而形成导线。本发明专利技术通过增加了对沟槽底壁上的阻挡层进行物理轰击工艺，可以改变沟槽的形状，同时还增大了金属材料的填充纵截面，可以有效降低导线的阻值，具体的，可以降低导线的阻值约5%，减少了RC延迟现象的发生，提升了导线响应速度。了导线响应速度。了导线响应速度。

【技术实现步骤摘要】
一种导线及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体的制造工艺领域，特别涉及一种导线及其形成方法。

技术介绍

[0002]目前，在半导体器件的后段(back
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end
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of
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line， BEOL) 工艺中，制作半导体集成电路时，半导体器件层形成之后，需要在半导体器件层之上形成金属互连层，每层金属互连层包括金属互连线和绝缘材料层。
[0003]现有技术所形成的金属互连线的线宽越做越小，随着线宽的不断缩小，金属互连线的阻值不断增大，使得RC延迟现象越严重，从而使得半导体器件的响应速度降低。因此，如何降低阻值、提升半导体器件的响应速度是一个重要的议题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，提供一种导线及其形成方法，可以降低阻值、提升半导体器件的响应速度。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术提供一种导线的形成方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有介质层，所述介质层中形成有沟槽，所述沟槽用于形成金属互连线；在所述沟槽的底壁和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导线的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有介质层，所述介质层中形成有沟槽，所述沟槽用于形成金属互连线；在所述沟槽的底壁和侧壁上形成阻挡层；对所述沟槽的底壁进行物理轰击，以加深所述沟槽的深度；以及在所述沟槽中填充金属材料，以形成金属互连线，进而形成导线。2.如权利要求1所述的导线的形成方法，其特征在于，对所述沟槽的底壁进行物理轰击，以加深所述沟槽的深度包括：在形成所述阻挡层的反应腔室中对所述沟槽的底壁进行物理轰击，以加深所述沟槽的深度，还改变了所述沟槽的形状，其中，通入所述阻挡层的反应腔室的气体中包括惰性气体。3.如权利要求2所述的导线的形成方法，其特征在于，在所述物理轰击时，通入所述阻挡层的反应腔室的气体中包括氩气。4.如权利要求3所述的导线的形成方法，其特征在于，在物理轰击时，通入的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：游咏晞，郑志成，黄震麟，吴启明，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：