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本发明提供一种导线及其形成方法，所述形成方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有介质层，所述介质层中形成有沟槽，所述沟槽用于形成金属互连线；在所述沟槽的底壁和侧壁上形成阻挡层；对所述沟槽的底壁进行物理轰击，以加深所述沟槽的...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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