制作硅通孔的方法技术

本发明专利技术实施例提供一种制作硅通孔的方法，包括提供硅基板，其上表面具有微结构，加工硅基板的下部以使其减薄至预定厚度，将硅基板的下表面固定于刻蚀表面，自硅基板的上表面向下刻蚀出贯通硅基板的槽体，从而形成硅通孔；这可以避免研磨液流入诸如流道的微结构中，从而不会在微结构中形成永久性的污渍，进而避免对芯片的性能造成严重的影响。芯片的性能造成严重的影响。芯片的性能造成严重的影响。

【技术实现步骤摘要】
制作硅通孔的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造的
，尤其涉及制作硅通孔的方法。

技术介绍

[0002]硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术属于高密度封装，其可以贯穿硅晶圆或芯片并且通过填充导电物质而实现在垂直方向上的电气互连。
[0003]现有的硅通孔制作方法包括，先在硅基板的上表面刻蚀出具有一定深度的槽体，然后减薄硅基板的下部直至槽体贯通。但是，这种现有方法仅适合用于制作正面结构较为简单的硅基板。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是现有的硅通孔制作方法仅适于制作正面结构较为简单的硅基板等。
[0005]本专利技术实施例提供一种制作硅通孔的方法，包括：提供硅基板，其上表面具有微结构；加工硅基板的下部以使其减薄至预定厚度；将硅基板的下表面固定于刻蚀表面；自硅基板的上表面向下刻蚀出贯通硅基板的槽体，从而形成硅通孔。
[0006]可选地，微结构与硅通孔连通。
[0007]可选地，微结构为用于流体流动的流道，其位于微流控芯片的硅基板的上表面。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作硅通孔的方法，其特征在于，包括：提供硅基板，其上表面具有微结构；加工所述硅基板的下部以使其减薄至预定厚度；将所述硅基板的下表面固定于刻蚀表面；自所述硅基板的上表面向下刻蚀出贯通所述硅基板的槽体，从而形成所述硅通孔。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微结构与所述硅通孔连通。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微结构为用于流体流动的流道，其位于微流控芯片的硅基板的上表面。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述流道在硅基板的俯视截面中包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洋，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：