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一种半导体结构、形成方法以及红外热电堆探测器，半导体结构的形成方法包括：第一晶圆的互连孔，在第一晶圆与器件层和第二晶圆键合前已经形成，形成互连孔的过程中，即使出现机台异常等不可避免的偶然故障，仅第一晶圆需要报废，与将第一晶圆与器件层和第二晶...
该专利属于中芯集成电路（宁波）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路（宁波）有限公司授权不得商用。

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