电压控制可变电容器制造技术

提供一种电压控制可变电容器，其可以在宽控制电压范围内改变其电容值，并容易地以高精度控制该电容值而不使其电路结构复杂化，以及，提供一种电压控制可变电容器，其可以以良好的线性改变其电容值。电压控制可变电抗器以这样的方式配置：可变电抗器ＶＣｋ并联，其每一个由固定电容器Ｃｋ（ｋ＝１，２，…，ｎ）和Ｎ沟道型ＭＯＳ晶体管Ｍｋ的串联形成。ＭＯＳ晶体管Ｍ１至Ｍｎ以这样的方式配置：栅极宽度Ｗ相同，但是顺次延长栅极长度Ｌ１至Ｌｎ（即，Ｌ１＜Ｌ２＜…＜Ｌｎ），使得其阈值电压彼此区分开。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电压控制可变电容器，其电容值根据施加到其上的控制电压而改变。
技术介绍
在通信终端等中使用的信号处理电路中，需要以高精度振荡的振荡器，以精确地产生时钟信号。传统地，为了提高通常使用的晶体振荡器的振荡精度，已知有VCXO(电压控制晶体振荡器)，其包括电容值根据控制电压而改变的电压控制可变电容器(电压控制可变电抗器)，以及根据电压控制可变电抗器的电容值以某频率振荡的晶体振荡器。还已知有TCXO(温度补偿晶体振荡器或具有温度补偿电路的晶体振荡器)，其中，为了补偿取决于温度的晶体振荡器的频率变化，将由温度补偿电路在温度特性方面进行了补偿的控制电压施加到电压控制可变电抗器，从而以所希望的频率振荡晶体振荡器。作为在前述振荡器中使用的传统的可变电抗器，有一个在图12至14中示出。图12示出了使用二极管的电压控制可变电抗器。电压控制可变电抗器以这样的方式布置PN结二极管的正极侧接地，并且给其负极侧上的端子Zc施加控制电压，由此改变在二极管的pn结表面形成的耗尽层宽度，从而改变从端子Zc看到的电容值。图中示出的被配置用来将反向偏压施加到二极管上的电压控制可变电抗器可以通过在一定的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压控制可变电容器，其电容值根据施加到其上的控制电压而改变，包括：多个可变电容装置，其每一个被构成为包括固定电容器和ＭＯＳ晶体管，其中在所述多个可变电容装置中ＭＯＳ晶体管的阈值电压不同，其中ＭＯＳ晶体管响应于施加到其上的 栅极电压而在所述阈值电压处开始导通；对于预定的控制电压，所述多个可变电容装置分别基于不同的阈值电压来呈现电容值；以及所述电压控制可变电容器的电容值是所述多个可变电容装置的电容值的合成值。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松浦润一，上西荣一，藤田典之，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]