电压控制型振荡器制造技术

本发明专利技术提供一种能够与温度补偿控制信号及外部电压频率控制信号独立地控制ＭＯＳ晶体管的阈值电压的电压型振荡器。其中具有：压电振子（３）、并联连接于压电振子（３）的负载电容。负载电容构成为：串联连接了具有将源极端子和漏极端子短路的源极.漏极端子、栅极端子的第１ＭＯＳ晶体管（５）、具有将源极端子和漏极端子短路的源极.漏极端子、栅极端子的第２ＭＯＳ晶体管（６）。而且还具有：将共同的第１控制信号（Ｓ１）供给到上述第１、第２ＭＯＳ晶体管（５、６）的源极.漏极端子的第１控制信号产生电路（４１）；和将共同的第２控制信号（Ｓ２）供给到上述第１、第２ＭＯＳ晶体管（５、６）的栅极端子的第２控制信号产生电路（４２）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用作由电压控制的温度补偿型晶体振荡器的电压控制型振荡器。
技术介绍
温度补偿晶体振荡器用于移动电话等基准频率源，是一种使因温度变化而引起的频率变化减小的晶体振荡器。而且，电压控制型振荡器是一种设置可通过电压变更电容值的可变电容元件来作为振荡环内的负载电容，通过控制该可变电容元件的端子电压，从而可使负载电容值变化、控制频率的振荡器。作为温度补偿晶体振荡器，控制电压控制型振荡器中的可变电容的端子电压，以消除晶体振子(压电振子)的温度特性。近年来，温度补偿晶体振荡器在低相位噪声化、启动时间缩短化、温度补偿的高精度化的基础上，正向小型化方向发展。为了实现晶体振荡器的小型化，晶体振子必须小型化。但是，一般通过使晶体振子小型化，存在对应可变电容变化的频率变化比例变小的倾向。因此，应使对应作为负载电容使用的可变电容的控制电压的电容变化量变大。例如，如专利文献1所示，通过采用在短路了源极端子和漏极端子的MOS晶体管的源极·漏极端子和栅极端子间产生的静电电容，从而可相对控制电压的变化使电容值的变化变大，以提高晶体振荡器频率变化的灵敏度(参照图11)〖专利文献1〗特开2003-318417号公报〖专利文献2〗特开平11-220329号公报〖非专利文献1〗在此，作为电压控制型振荡器的可变电容，在将在MOS晶体管源极·漏极端子与栅极端子间产生的静电电容直接连接到振荡电路的放大器及晶体振子(压电振子)，控制MOS晶体管的栅极电压、控制频率的情况下，当MOS晶体管的栅极电压为源极·漏极端子电压+阈值电压时，在紧贴栅极氧化膜的下面形成沟道，栅极端子和沟道即源极·漏极端子的静电电容变大。将此时的栅极电压定义为电容切换电压。作为现有例的第1课题，因源极·漏极端子的DC偏置由振荡电路的放大器侧决定，故存在不能将电容切换电压设定为任意值、不能以任意栅极电压为中心控制频率的问题。作为第2课题，在通常的CMOS工艺中，电容切换电压还依赖MOS晶体管的阈值电压的离散或温度特性而变化，但在现有例子中，需要具有使温度补偿控制信号及外部电压控制信号消除MOS晶体管的阈值电压的离散或温度特性的特性。因此，实际上为了使应用了MOS晶体管的源极·漏极端子和栅极端子间产生的静电电容的晶体振荡器的设计容易并实用化，存在需要与温度补偿控制信号及外部电压频率控制信号独立地对MOS晶体管的阈值电压控制信号进行控制这一问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种电压控制型振荡器，其中为了在电压控制型振荡器中，将应用了使源极端子和漏极端子短路的MOS晶体管的源极·漏极端子和栅极端子间产生的静电电容的振荡器实用化，可与温度补偿控制信号及外部电压频率控制信号独立地控制MOS晶体管的阈值电压。为了达到上述目的，本专利技术涉及的电压控制型振荡器，是一种具备了用于连接压电振子的端子对的电压控制型振荡器，其特征在于，具有输入端及输出端分别连接到用于连接所述压电振子的端子对的各端子上的放大器；具备源极、漏极及栅极端子，并连接了所述源极端子与所述漏极端子的MOS晶体管；插入连接在所述放大器的一端与所述MOS晶体管的源极端子之间的电容；向所述MOS晶体管的源极端子供给控制用电信号的第1控制信号产生电路；向所述MOS晶体管的栅极端子供给控制用电信号的第2控制信号产生电路。为了达到上述目的，本专利技术涉及的电压控制型振荡器，是一种具备了用于连接压电振子的端子对的电压控制型振荡器，其特征还在于，具有输入端及输出端分别连接到用于连接所述压电振子的端子对的各端子上的放大器；具备源极、漏极及栅极端子，并分别连接了所述源极端子与所述漏极端子的第1、第2MOS晶体管；插入连接在所述放大器的一端与所述第1MOS晶体管的源极端子之间的第1电容；插入连接在所述放大器的一端与所述第2MOS晶体管的源极端子之间的第2电容；向所述第1、第2MOS晶体管的至少一方的源极端子供给控制用电信号的第1控制信号产生电路；向所述第1、第2MOS晶体管的至少一方的栅极端子供给控制用电信号的第2控制信号产生电路。在优选的实施方式中，其特征在于，所述第1、第2电容的各一端共同连接到所述放大器的一端上。为了达到上述目的，本专利技术涉及的电压控制型振荡器，是一种具备了用于连接压电振子的端子对的电压控制型振荡器，其特征在于，具有输入端及输出端分别连接到用于连接所述压电振子的端子对的各端子上的放大器；具备源极、漏极及栅极端子，并分别连接了所述源极端子与所述漏极端子的第1、第2MOS晶体管；插入连接在所述放大器的一端与所述第1、第2MOS晶体管的源极端子之间的第1电容；插入连接在所述放大器的另一端与所述第1MOS晶体管的栅极端子之间的第2电容；插入连接在所述放大器的另一端与所述第2MOS晶体管的栅极端子之间的第3电容；向所述第1、第2MOS晶体管的至少一方的源极端子供给控制用电信号的第1控制信号产生电路；向所述第1、第2MOS晶体管的至少一方的栅极端子供给控制用电信号的第2控制信号产生电路。在优选的实施方式中，其特征在于，还具有向所述第1、第2MOS晶体管的至少一方的栅极端子供给控制用电信号的第3控制信号产生电路。为了达到上述目的，本专利技术涉及的电压控制型振荡器，是一种具备了用于连接压电振子的端子对的电压控制型振荡器，其特征在于，具有输入端及输出端分别连接到用于连接所述压电振子的端子对的各端子上的放大器；具备源极、漏极及栅极端子，并分别连接了所述源极端子与所述漏极端子的第1、第2、第3及第4MOS晶体管；插入连接在所述放大器的一端与所述第1、第2MOS晶体管的源极端子之间的第1电容；插入连接在所述放大器的另一端与所述第3、第4MOS晶体管的源极端子之间的第2电容；向所述第1、第2MOS晶体管或所述第3、第4MOS晶体管的至少一组的源极端子供给控制用电信号的第1控制信号产生电路；向所述第1、第3MOS晶体管的至少一方的栅极端子供给控制用电信号的第2控制信号产生电路；向所述第2、第4MOS晶体管的至少一方的栅极端子供给控制用电信号的第3控制信号产生电路。在优选的实施方式中，其特征在于，所述电压控制型振荡器在用于连接所述压电振子的端子上连接了压电振子。在优选的实施方式中，其特征在于，所述压电振子是晶体振子。在优选的实施方式中，其特征在于，所述第1控制信号是包含温度补偿控制信号、外部电压频率控制信号、离散补偿控制信号的至少任一个的信号。在优选的实施方式中，其特征在于，所述第2控制信号是包含温度补偿控制信号、外部电压频率控制信号、离散补偿控制信号的至少任一个的信号。在优选的实施方式中，其特征在于，所述第3控制信号是包含温度补偿控制信号、外部电压频率控制信号、离散补偿控制信号的至少任一个的信号。在优选的实施方式中，其特征在于，在所述第1MOS晶体管的源极·漏极端子或者所述第2MOS晶体管的源极·漏极端子上设置了限幅电路。在优选的实施方式中，其特征在于，在所述第1控制信号产生电路或第2控制信号产生电路的其中一个中具备消除离散电路。在优选的实施方式中，其特征在于，在所述第1控制信号产生电路或第2控制信号产生电路的其中一个中包括控制器，其中该控制器具有记录了用于离散消除的表的存储器。在优选的实施方式中，其特征在于，所述消除离散电路包括具有与所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压控制型振荡器，其中具备了用于连接压电振子的端子对，其特征在于，具有：输入端及输出端分别连接到用于连接所述压电振子的端子对的各端子上的放大器；具备源极、漏极及栅极端子，并连接了所述源极端子与所述漏极端子的ＭＯＳ晶体管；插入连接在所述放大器的一端与所述ＭＯＳ晶体管的源极端子之间的电容；向所述ＭＯＳ晶体管的源极端子供给控制用电信号的第１控制信号产生电路；和向所述ＭＯＳ晶体管的栅极端子供给控制用电信号的第２控制信号产生电路。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大塚崇，竹内久人，新宫圭悟，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]